半导体装置之制造方法

摘要

一种半导体装置之制造方法，主要利用高应力层作为半导体装置之中之电晶体上方、下方或上下方之覆层，接着在高应力层以光阻定义出一特定区域，并利用离子布植技术改变特定区域之应力值，以在电晶体元件上方分别呈现挤压和拉伸之应力型态。根据本发明之方法，利用沉积之高应力材料层之应力同时改善同一片晶圆上的电晶体元件特性，进而提升载子的移动率，以使改善元件的输出特性。