形成氮化钨薄膜之方法

摘要

在此揭露一种藉由引入特定比率之钨先驱物质及氮气源至反应室中及随后藉由金属有机化学气相沉积(MOCVD)在一给定温度下沉积于半导体基板上以形成氮化钨膜的方法，其中该氮气源系联氨衍生物。依据该方法，即使在低温下使用小量之氮气源亦能够形成一具有足够厚度之氮化钨膜。