储存双位元之非挥发性记忆体胞的制造方法与结构

摘要

本发明提供一种储存双位元之非挥发性记忆体胞的制造方法与结构，其中该方法系于主要利用一由矽氧–氮化矽–矽氧所组成之堆叠层中的区域性氮化矽层，来形成一储存双位元之非挥发性记忆体胞的结构，该结构包含有一于含矽之基板表面形成的堆叠层，该堆叠层至少包含一第一矽氧层与一形成于该第一矽氧层上方的氮化矽层，且该堆叠层具有一凹陷结构。一形成于该半导体基板上并位于该凹陷结构内的闸极氧化层，一形成于该闸极氧化层上的控制闸极，一覆盖于该控制闸极之侧壁与该堆叠层之上方的第二矽氧层，以及形成于该第二矽氧层之上方并间隔于该控制闸极之两侧的二分裂闸。