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经营范围
发明名称
半导体装置
摘要
为了防止一讯号导线的讯号遭受由于电源电容器而起的不良影响,一种半导体是被提供,该半导体包括构成电源电压端的一个高参考电位端和一个低参考电位端;一个第一MOS电容器,在其中,一个p-通道MOS场效电晶体的闸极是连接到该低参考电位端,而一个源极和一个汲极是连接到该高参考电位端;及一条经由一个寄生电容器来连接到该闸极的第一讯号导线而且一个处于低参考电位的讯号是在起动该电源之时被供应。
申请公布号
TW200608522
申请公布日期
2006.03.01
申请号
TW093139168
申请日期
2004.12.16
申请人
富士通股份有限公司
发明人
奥田正树
分类号
H01L21/82
主分类号
H01L21/82
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
日本
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