半导体装置及其制造方法

摘要

【课题】提供制造使用有机矽氧烷系绝缘膜的优越电气特性半导体装置之方法。【解决手段】具备有在半导体基板上形成多层配线构造的半导体装置；其中，此多层配线构造系具有层间绝缘膜，而该层间绝缘膜系至少其中一部分具备有介电常数为3.1以下，且硬度为2.7GPa以上的有机矽氧烷系绝缘膜；此有机矽氧烷系绝缘膜系(碳原子数/矽原子数)比在0.5以上、1.0以下。此外，此多层配线构造系在有机矽氧院系绝缘膜上面，具有由从有机矽氧烷系绝缘膜中抽取出碳(碳原子数/矽原子数)比，在0.1以下所构成的绝缘层。