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发明名称
薄膜电池、薄膜电池之负极薄膜及其制法
摘要
本发明之薄膜电池阴极薄膜之制法,系先制备一可提供Li及Ti离子之靶材,以及一具有一基层,一缓冲层及一贵金属集电层之基板。于真空腔中以高温在基板上溅镀LiMO层,而完成本发明之薄膜电池负极薄膜。在本发明中,该贵金属集电层可为银、金、铂等贵金属,其合金或氧化物。溅镀温度可为300℃以上,较佳为500℃以上,最佳为650℃以上。所形成之负极薄膜材料可为Li4Ti5O12。本发明并揭示以此方法制成之负极薄膜及利用该负极薄膜制成之薄膜电池。
申请公布号
TW200608620
申请公布日期
2006.03.01
申请号
TW093125448
申请日期
2004.08.26
申请人
中央研究院
发明人
吴茂昆;王家麟;廖延宗;戴念华;徐丰麒
分类号
H01M4/00
主分类号
H01M4/00
代理机构
代理人
徐宏昇
主权项
地址
台北市南港区研究院路2段128号
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