具有移动磁场包络线以供均匀覆盖特征部结构与晶圆的高度离子化物理气相沈积

摘要

本发明系关于一种半导体晶圆之离子化PVD处理，并提供在单一处理室之内进行极均匀的沈积－蚀刻处理次序与大深宽比例(HAR)之特征部的覆盖能力之条件。藉由一电感耦合电浆源(ICP)产生并维持一电浆。进行一沈积处理步骤，其中藉由一PVD源的标靶产生金属蒸气。藉由移动一磁铁组而增强标靶表面的地点及溅镀效率，俾产生一移动或扫掠的磁场包络线。藉由一DC电源对标靶供以能量并在沈积期间维持处理室之中能够有效地使溅镀的原子达成有效率的热化所需之压力(30＜p＜100mTorr)。在每一次的磁铁扫掠循环之中，能够在晶圆之上形成均匀之厚度的金属。利用在整个标靶表面之上进行环状扫掠运动之磁场局部化系产生合理的沈积速率、高标靶利用性、金属原子的高度离子化、均匀的平场沈积及蚀刻之情况，且产生晶圆的中心及边缘处的HAR特征部覆盖之近似相同的情况。