发明名称 具有间隔层之步阶尖式接面
摘要 本发明之实施例提供了位于一电晶体的一源极/汲极区与一闸极之间的一步阶尖式接面区。在某些实施例中,该电晶体的一间隔物包含一尖式接面间隔层及一源极/汲极间隔层。
申请公布号 TW200608547 申请公布日期 2006.03.01
申请号 TW094113922 申请日期 2005.04.29
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 艾布拉辛 班;伯恩哈特 赛尔;桑杰 纳塔拉贾恩;马克 鲍尔
分类号 H01L23/48 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国