| 摘要 |
一种光阻剥除制程，系使用低氧含量电浆剥除光阻。此电浆含有5-10%氧气及90-95%钝气，以剥除在半导体元件中或其上的低介电常数材质上方的光阻。此钝气为氮气、氢气或其混合物，或至少含有氮气、氢气、氨气、氩气、氦气和四氟化碳其中之一。而电浆的操作压力范围在1mTorr至150mTorr之间。此电浆有效移除光阻，并移除蚀刻制程中形成的硬皮层及聚合性沉积物。电浆更可快速的剥除光阻，以使用于生产制程中，并且不会明显地攻击含碳的低介电常数材料。一种具有一电浆工具之装置也同时被揭露，此电浆工具包含一半导体基材与低氧含量的电浆。 |
