金氧半导电晶体元件之金属闸极结构

摘要

一种闸极结构包括闸极介电层位于半导体基材上。金属闸极导体位于闸极介电层上。覆盖层位于金属闸极导体上。至少一间隙壁覆盖在金属闸极导体与覆盖层之侧壁上，以使覆盖层与间隙壁包围住金属闸极导体。至少一自我对准接触结构紧邻金属闸极导体而形成半导体基材上。如此一来，覆盖层与间隙壁隔开自我对准接触结构，而避免自我对准接触结构直接接触金属闸极导体。