微影蚀刻遮罩之制造方法及微影蚀刻遮罩

摘要

本发明系提供在使用ArF准分子雷射等会促进由硫酸铵所构成异物之生成反应的高输出曝光手段进行曝光之际，可抑制硫酸铵析出的微影蚀刻遮罩及其制造方法。本发明利用半透过部形成步骤的光阻剥离清洗步骤(步骤5)及遮光带形成步骤的光阻剥离清洗步骤(步骤10)，施行使用硫酸系清洗剂之清洗，然后施行将图案中已吸附硫酸离子的表层部之一部分或全部予以去除的硫酸去除步骤，以有效地去除所吸附的硫酸离子。