具混合应变通道之金氧半导场效电晶体

摘要

一种微电子元件之制造方法，包括先形成矽基材，其中此矽基材包括具有不同之掺质特性之第一井与第二井。再形成第一应变矽–锗–碳层邻近于第一井，其中第一应变矽–锗–碳层具有第一化学式。接下来，形成第二应变矽–锗–碳层邻近于第二井，其中第二应变矽–锗–碳层具有第二化学式，且第二化学式不同于第一化学式。接着，形成覆盖与绝缘层、闸极结构、间隙壁、以及源极与汲极，藉以形成具有独立之应变通道的互补式金氧半导电晶体(CMOS)元件。