| 主权项 |
1.一种初期化方法,其包含: 以由15至22毫瓦/平方微米之功率密度之雷射光束 在由8至12米/秒线性速度下初期化一相变化光学记 录媒体,俾能初期化该相变化光学记录媒体,其中 该相变化光学记录媒体包括: 一透明基板,在其表面上具有一导引沟槽; 第一保护层,其覆叠在该透明基板上; 一记录层,其覆叠在该第一保护层上,且本质上包 括一藉着以下之成份公式所表示之材料:AgXSb TeGe,其中X系选自镓、铟、铊、铅、锡、铋 、镉、汞、锰、镝、铜及金族群之至少一元素,且 ,,,及具有原子百分比之单位,并满足以 下之关系: 当==0; ++=100; 60≦≦80; 0≦≦30,及 1≦≦10,及 当及之至少一个系大于0时; ++++=100; 5≦++≦9; 0≦≦2; 0≦≦8; 60≦≦80; 0≦≦30,及 1≦<9;及 第二保护层,其覆叠在该记录层上;及 一反射层,其覆叠在该第二保护层上。 2.如申请专利范围第1项之初期化方法,其中该记录 层具有8至20奈米之厚度。 3.如申请专利范围第1项之初期化方法,其中该相变 化光学记录媒体尚包含一氧化物层,其包含至少ZrO 2及定位在该记录层及该第一保护层间之位置与该 记录层及该第二保护层间之位置之至少一位置中 。 4.如申请专利范围第3项之初期化方法,其中该氧化 物层包含ZrO2。 5.如申请专利范围第3项之初期化方法,其中该氧化 物层包含氧化钛。 6.如申请专利范围第5项之初期化方法,其中,该氧 化钛含量占该氧化物层中所包含材料之总量,不大 于60莫耳百分比。 7.如申请专利范围第3项之初期化方法,其中该氧化 物层尚包含稀土族氧化物及包括除了铍以外之IIa 族元素之氧化物之至少一种。 8.如申请专利范围第7项之初期化方法,其中该稀土 族氧化物及包括除了铍以外之IIa族元素之氧化物 之至少一种之含量范围系占ZrO2的1至10莫耳百分比 。 9.如申请专利范围第3项之初期化方法,其中该氧化 物层具有1至20奈米之厚度。 10.如申请专利范围第1项之初期化方法,其中施行 该照射,而该雷射光束在该记录层之表面上形成一 具有不大于200平方微米之面积之光点,且其中该照 射雷射光束之光源具有一由0.7至2.5瓦之输出功率 。 11.如申请专利范围第1项之初期化方法,其中该线 性速度系于该记录层之结晶限制速度之+/-2米/秒 之范围中。 12.如申请专利范围第1项之初期化方法,其中当该 雷射光束形成一椭圆形光点时施行该照射,其中满 足以下之关系:d/n≦pf≦d(n-1)/n, 其中pf代表该雷射光束之一进给节距,d代表该椭圆 形光点于一纵向中之半宽度直径,及n系由1至5之整 数,且其中在该记录层中没有任何部份遭受多次照 射。 图式简单说明: 图1说明一图解,用以依记录速度而定说明结晶限 制速度及结晶状态之差异; 图2说明当范例1中制成之碟片系藉着在一不变之 线性速度及一不变之时移节距下之光束初期化、 随之藉着在14米/秒之线性速度下记录时,DOW1特性 在光束之功率密度上之依存关系; 图3说明当范例1中制成之碟片系藉着在未改变该 光束之光点大小之不变时移节距下之光束初期化 、随之藉着在14米/秒之线性速度下记录时,DOW1特 性在光束之线性速度上之依存关系; 图4说明当范例1及5中制成之碟片系藉着在改变该 功率密度之不变线性速度下之光束初期化、随之 藉着在14米/秒之线性速度下记录时,DOW1特性对该 光束之线性速度之依存关系; 图5说明用于本发明初期化方法之光学记录媒体之 一具体实施例之结构; 图6说明用于本发明初期化方法之光学记录媒体之 另一具体实施例之结构; 图7说明用于本发明初期化方法之光学记录媒体之 又另一具体实施例之结构; 图8说明用于本发明初期化方法之光学记录媒体之 进一步具体实施例之结构;及 图9说明用于本发明初期化方法之光学记录媒体之 又进一步具体实施例之结构。 |
