| 主权项 |
1.一种主动式有机发光画素阵列基板,包含: 一基板; 至少一扫瞄线以及至少一资料线,配置在该基板上 ; 至少一第一/第二薄膜电晶体以及至少一电容器, 配置在该基板上,且该第一薄膜电晶体系位置于该 扫瞄线与该资料线之交会处; 一第一电极,配置在该基板上,且该第一电极系与 该第二薄膜电晶体连接; 一画素定义层,覆盖住该第一/第二薄膜电晶体、 该电容器以及至少一部分的该第一电极,以于该第 一电极上定义出至少一开口面积,其中位于该第一 电极周围的至少一部份的该画素定义层表面具有 一凹槽; 一有机官能层,配置于该第一电极上;以及 一第二电极,配置在该有机官能层上。 2.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光画 素阵列基板,其中该画素定义层于该第一电极上所 定义出之该开口面积系为矩形、椭圆形、圆形或 长条形。 3.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光画 素阵列基板,其中该画素定义层表面之该凹槽的深 度系小于0.3微米。 4.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光画 素阵列基板,其中未配置有该凹槽之该画素定义层 的厚度系小于0.1微米。 5.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光画 素阵列基板,其中该画素定义层之材质包含光阻材 料。 6.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光画 素阵列基板,其中该画素定义层之材质包含聚亚醯 胺。 7.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光画 素阵列基板,其中该画素定义层之材质包含氧化物 、氮化物或是氮氧化物。 8.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光画 素阵列基板,其中该有机官能层系至少选自电洞注 入层、电洞传输层、发光层、电洞阻挡层、电子 传输层与电子注入层。 9.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光画 素阵列基板,其中该有机官能层之形成方法系采用 喷墨印刷法。 10.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光画 素阵列基板,其中该基板系选自矽基板、玻璃基板 、塑胶基板及柔性基板至少其中之一。 11.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光画 素阵列基板,其中该第一电极系为阳极。 12.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光画 素阵列基板,其中该第一电极之材质系为导电之金 属氧化物。 13.如申请专利范围第12项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该导电之金属氧化物系选自氧 化铟锡、氧化铝锌及氧化铟锌至少其中之一。 14.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光画 素阵列基板,其中该第一电极系为阴极。 15.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光画 素阵列基板,其中该第一电极之材质系为金属或合 金。 16.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光画 素阵列基板,其中该第一薄膜电晶体系为开关电晶 体。 17.如申请专利范围第16项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第一薄膜电晶体系为非晶矽 薄膜电晶体或是多晶矽薄膜电晶体。 18.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光画 素阵列基板,其中该第二薄膜电晶体系为驱动电晶 体。 19.如申请专利范围第18项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第二薄膜电晶体系为非晶矽 薄膜电晶体或是多晶矽薄膜电晶体。 20.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光画 素阵列基板,其中位于该第一电极边缘之该画素定 义层侧壁系为斜坡状。 21.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光画 素阵列基板,其中该电容器之下电极之材质系为矽 。 22.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光画 素阵列基板,其中该电容器系与该第一薄膜电晶体 连接。 23.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光画 素阵列基板,其中该扫瞄线与该资料线之材质系为 金属或合金。 24一种主动式有机发光画素阵列基板,包含: 一基板; 至少一扫瞄线以及至少一资料线,配置在该基板上 ; 至少二薄膜电晶体以及至少一电容器,配置在该基 板上,且其中一薄膜电晶体系位置于该扫瞄线与该 资料线之交会处; 一第一电极,配置在该基板上,且该第一电极系与 另一薄膜电晶体连接; 一画素定义层,覆盖住该些薄膜电晶体、该电容器 以及至少一部分的该第一电极,以于该第一电极上 定义出至少一开口面积,其中位于该第一电极周围 的至少一部份的该画素定义层表面具有一凹槽; 一有机官能层,配置于该第一电极上;以及 一第二电极,配置在该有机官能层上。 25.如申请专利范围第24项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层于该第一电极上 所定义出之该开口面积系为矩形、椭圆形、圆形 或长条形。 26.如申请专利范围第24项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层表面之该凹槽的 深度系小于0.3微米。 27.如申请专利范围第24项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中未配置有该凹槽之该画素定义 层的厚度系小于0.1微米。 28.如申请专利范围第24项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层之材质包含光阻 材料。 29.如申请专利范围第24项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层之材质包含聚亚 醯胺。 30.如申请专利范围第24项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层之材质包含氧化 物、氮化物或是氮氧化物。 31.如申请专利范围第24项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该有机官能层系至少选自电洞 注入层、电洞传输层、发光层、电洞阻挡层、电 子传输层与电子注入层。 32.如申请专利范围第24项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该有机官能层之形成方法系采 用喷墨印刷法。 33.如申请专利范围第24项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该基板系选自矽基板、玻璃基 板、塑胶基板及柔性基板至少其中之一。 34.如申请专利范围第24项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第一电极系为阳极。 35.如申请专利范围第24项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第一电极之材质系为导电之 金属氧化物。 36.如申请专利范围第25项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该导电之金属氧化物系选自氧 化铟锡、氧化铝锌及氧化铟锌至少其中之一。 37.如申请专利范围第24项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第一电极系为阴极。 38.如申请专利范围第37项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第一电极之材质系为金属或 合金。 39.如申请专利范围第24项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中一薄膜电晶体系为开关电晶体 。 40.如申请专利范围第39项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该薄膜电晶体系为非晶矽薄膜 电晶体或是多晶矽薄膜电晶体。 41.如申请专利范围第24项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中另一薄膜电晶体系为驱动电晶 体。 42.如申请专利范围第41项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该薄膜电晶体系为非晶矽薄膜 电晶体或是多晶矽薄膜电晶体。 43.如申请专利范围第24项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中位于该第一电极边缘之该画素 定义层侧壁系为斜坡状。 44.如申请专利范围第24项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该电容器之下电极之材质系为 矽材质。 45.如申请专利范围第24项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该电容器系与其中一薄膜电晶 体连接。 46.如申请专利范围第24项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该扫瞄线与该资料线之材质系 为金属或合金。 47.一种主动式有机发光画素阵列基板,包含: 一基板; 至少一扫瞄线以及至少一资料线,配置在该基板上 ; 至少一第一/第二薄膜电晶体以及至少一电容器, 配置在该基板上,且该第一薄膜电晶体系位置于该 扫瞄线与该资料线之交会处; 一第一电极,配置在该基板上,且该第一电极系与 该第二薄膜电晶体连接; 一画素定义层,覆盖住该第一/第二薄膜电晶体、 该电容器以及至少一部分的该第一电极,以于该第 一电极上定义出至少一开口面积,其中位于该第一 电极周围的至少一部份的该画素定义层表面具有 一凹槽; 一阻隔层,配置在该画素定义层表面之该凹槽内; 一有机官能层,配置于该第一电极上;以及 一第二电极,配置在该有机官能层上。 48.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层于该第一电极上 所定义出之该开口面积系为矩形、椭圆形、圆形 或长条形。 49.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层表面之该凹槽的 深度系小于0.3微米。 50.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中未配置有该凹槽之该画素定义 层的厚度系小于0.1微米。 51.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层之材质包含光阻 材料。 52.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层之材质包含聚亚 醯胺。 53.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层之材质包含氧化 物、氮化物或是氮氧化物。 54.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该有机官能层系至少选自电洞 注入层、电洞传输层、发光层、电洞阻挡层、电 子传输层与电子注入层。 55.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该有机官能层之形成方法系采 用喷墨印刷法。 56.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该基板系选自矽基板、玻璃基 板、塑胶基板及柔性基板至少其中之一。 57.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第一电极系为阳极。 58.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第一电极之材质系为导电之 金属氧化物。 59.如申请专利范围第58项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该导电之金属氧化物系选自氧 化铟锡、氧化铝锌及氧化铟锌至少其中之一。 60.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第一电极系为阴极。 61.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第一电极之材质系为金属或 合金。 62.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第一薄膜电晶体系为开关电 晶体。 63.如申请专利范围第62项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第一薄膜电晶体系为非晶矽 薄膜电晶体或是多晶矽薄膜电晶体。 64.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第二薄膜电晶体系为驱动电 晶体。 65.如申请专利范围第64项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第二薄膜电晶体系为非晶矽 薄膜电晶体或是多晶矽薄膜电晶体。 66.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中位于该第一电极边缘之该画素 定义层侧壁系为斜坡状。 67.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该电容器之下电极之材质系为 矽材质。 68.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该电容器系与该第一薄膜电晶 体连接。 69.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该扫瞄线与该资料线之材质系 为金属或合金。 70.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中至少有一部份之该凹槽未被该 阻隔层填满。 71.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该阻隔层之材质包含光阻材料 。 72.如申请专利范围第47项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该阻隔层之材质包含聚亚醯胺 。 73.一种主动式有机发光画素阵列基板,包含: 一基板; 至少一扫瞄线以及至少一资料线,配置在该基板上 ; 至少二薄膜电晶体以及至少一电容器,配置在该基 板上,且其中一薄膜电晶体系位置于该扫瞄线与该 资料线之交会处; 一第一电极,配置在该基板上,且该第一电极系与 另一薄膜电晶体连接; 一画素定义层,覆盖住该些薄膜电晶体、该电容器 以及至少一部分的该第一电极,以于该第一电极上 定义出至少一开口面积,其中位于该第一电极周围 的至少一部份的该画素定义层表面具有一凹槽; 一阻隔层,配置在该画素定义层表面之该凹槽内; 一有机官能层,配置于该第一电极上;以及 一第二电极,配置在该有机官能层上。 74.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层于该第一电极上 所定义出之该开口面积系为矩形、椭圆形、圆形 或长条形。 75.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层表面之该凹槽的 深度系小于0.3微米。 76.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中未配置有该凹槽之该画素定义 层的厚度系小于0.1微米。 77.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层之材质包含光阻 材料。 78.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层之材质包含聚亚 醯胺。 79.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层之材质包含氧化 物、氮化物或是氮氧化物。 80.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该有机官能层系至少选自电洞 注入层、电洞传输层、发光层、电洞阻挡层、电 子传输层与电子注入层。 81.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该有机官能层之形成方法系采 用喷墨印刷法。 82.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该基板系选自矽基板、玻璃基 板、塑胶基板及柔性基板至少其中之一。 83.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第一电极系为阳极。 84.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第一电极之材质系为导电之 金属氧化物。 85.如申请专利范围第84项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该导电之金属氧化物系选自氧 化铟锡、氧化铝锌及氧化铟锌至少其中之一。 86.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第一电极系为阴极。 87.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第一电极之材质系为金属或 合金。 88.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中一薄膜电晶体系为开关电晶体 。 89.如申请专利范围第88项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该薄膜电晶体系为非晶矽薄膜 电晶体或是多晶矽薄膜电晶体。 90.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中另一薄膜电晶体系为驱动电晶 体。 91.如申请专利范围第90项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该薄膜电晶体系为非晶矽薄膜 电晶体或是多晶矽薄膜电晶体。 92.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中位于该第一电极边缘之该画素 定义层侧壁系为斜坡状。 93.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该电容器之下电极之材质系为 矽材质。 94.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该电容器系与其中一薄膜电晶 体连接。 95.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该扫瞄线与该资料线之材质系 为金属或合金。 96.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中至少有一部份之该凹槽未被该 阻隔层填满。 97.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该阻隔层之材质包含光阻材料 。 98.如申请专利范围第73项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该阻隔层之材质包含聚亚醯胺 。 99.一种主动式有机发光画素阵列基板,包含: 一基板; 一控制单元,其系配置于基板上; 一第一电极,系连结于控制单元; 一画素定义层,覆盖住控制单元以及至少一部分的 该第一电极,以于该第一电极上定义出至少一开口 面积,其中位于该第一电极周围的至少一部份的该 画素定义层表面具有一凹槽; 一有机官能层,配置于该第一电极上;以及 一第二电极,配置在该有机官能层上。 100.如申请专利范围第99项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层于该第一电极上 所定义出之该开口面积系为矩形、椭圆形、圆形 或长条形。 101.如申请专利范围第99项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层表面之该凹槽的 深度系小于0.3微米。 102.如申请专利范围第99项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中未配置有该凹槽之该画素定义 层的厚度系小于0.1微米。 103.如申请专利范围第99项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层之材质包含光阻 材料。 104.如申请专利范围第99项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层之材质包含聚亚 醯胺。 105.如申请专利范围第99项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该画素定义层之材质包含氧化 物、氮化物或是氮氧化物。 106.如申请专利范围第99项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该有机官能层系至少选自电洞 注入层、电洞传输层、发光层、电洞阻挡层、电 子传输层与电子注入层。 107.如申请专利范围第99项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该有机官能层之形成方法系采 用喷墨印刷法。 108.如申请专利范围第99项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该基板系选自矽基板、玻璃基 板、塑胶基板及柔性基板至少其中之一。 109.如申请专利范围第99项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第一电极系为阳极。 110.如申请专利范围第99项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第一电极之材质系为导电之 金属氧化物。 111.如申请专利范围第110项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该导电之金属氧化物系选自氧 化铟锡、氧化铝锌及氧化铟锌至少其中之一。 112.如申请专利范围第99项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第一电极系为阴极。 113.如申请专利范围第99项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该第一电极之材质系为金属或 合金。 114.如申请专利范围第99项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中该控制单元包含薄膜电晶体、 电容、扫瞄线与资料线。 115.如申请专利范围第99项所述之主动式有机发光 画素阵列基板,其中位于该第一电极边缘之该画素 定义层侧壁系为斜坡状。 图式简单说明: 图1是利用喷墨印刷制程以形成有机发光画素阵列 基板之有机官能层之示意图。 图2是图1其中一画素之立体结构示意图。 图3是依照本发明一较佳实施例之主动式有机发光 画素阵列基板之其中一画素之部分结构示意图。 图4是依照本发明一较佳实施例之主动式有机发光 画素阵列基板之其中一画素的剖面示意图。 图5是依照本发明一较佳实施例之主动式有机发光 画素阵列基板之示意图。 图6是依照本发明一较佳实施例之主动式有机发光 画素阵列基板之其中一画素的等效电路图。 图7是依照本发明一较佳实施例之主动式有机发光 画素阵列基板之其中一画素之局部剖面示意图。 图8是依照本发明另一较佳实施例之主动式有机发 光画素阵列基板之其中一画素之部分结构示意图 。 图9是依照本发明另一较佳实施例之主动式有机发 光画素阵列基板之其中一画素的剖面示意图。 图10是依照本发明又一较佳实施例之主动式有机 发光画素阵列基板之其中一画素之部分结构示意 图。 图11是依照本发明又一较佳实施例之主动式有机 发光画素阵列基板之其中一画素的剖面示意图。 |
