| 主权项 |
1.一种用于植入离子到一个目标中之离子植入器, 其系包括: 一个用于产生一离子束的离子束产生器; 一个界定一用于接收该离子束之目标室的处理站, 该处理站系包含一个用于在该目标的离子植入期 间分隔该目标室成为上游以及下游区域之分隔器, 该目标系位在该下游区域之中,该分隔器具有一个 孔,该孔的尺寸被制作以容许该离子束在没有实质 的阻挡下通过,并且限制气体从该下游区域之逆流 至该上游区域,该处理站更包括一个用于调整该孔 的尺寸之孔调整机构;以及 分别耦接至该目标室的上游以及下游区域之第一 与第二真空泵。 2.如申请专利范围第1项之离子植入器,其中该孔调 整机构系包括一对板,该对板系界定该孔相对的侧 边并且可彼此朝向以及远离地移动。 3.如申请专利范围第2项之离子植入器,其中该孔调 整机构系更包括一个用于彼此朝向或是远离地移 动该等板来调整该孔的尺寸之驱动机构。 4.如申请专利范围第3项之离子植入器,其更包括一 个束感测器,该束感测器被组态设定以产生一个指 示在该等板之上的束撞击之信号,其中该驱动机构 系回应于该信号以调整该孔的尺寸至该束的尺寸 。 5.如申请专利范围第1项之离子植入器,其中该孔调 整机构系包括一或多个可转动的面板。 6.如申请专利范围第1项之离子植入器,其更包括一 个束感测器被组态设定以产生一个指示束的尺寸 之信号,其中该孔调整机构系回应于该信号以调整 该孔的尺寸至该束的尺寸。 7.如申请专利范围第1项之离子植入器,其更包括一 个束感测器位在该室分隔器的下游以产生一个指 示穿过该孔的束电流之信号,其中该孔调整机构系 回应于该信号以调整该孔的尺寸,直到在束电流上 之减小被侦测到为止。 8.如申请专利范围第1项之离子植入器,其中该第一 真空泵用于在动作的期间,维持在该目标室的上游 区域中之压力在510-6托或是更小。 9.如申请专利范围第1项之离子植入器,其中该分隔 器系位在该目标室之中,使得所有的束线组件都在 该分隔器的上游。 10.如申请专利范围第9项之离子植入器,其更包括 一个束电流感测器在该目标室的上游区域之中。 11.如申请专利范围第1项之离子植入器,其系包括 两个或是多个分隔器被连续地配置在该室之中,其 系分别具有一个孔。 12.如申请专利范围第11项之离子植入器,其中每个 孔的尺寸系可藉由一个孔调整机构调整的。 13.如申请专利范围第11项之离子植入器,其中每个 分隔器系具有一个相关的真空泵,用于在分隔器的 上游之一个室的区域内维持真空。 14.如申请专利范围第1项之离子植入器,其中该离 子束产生器系包括: 一个用于导引一离子束沿着一条束路径朝向一个 目标的离子源; 一个沿着该束路径被配置用于选择在该离子束中 之所要的离子之质量分析器; 一个沿着该束路径被配置用于加速在该离子束中 之所选的离子至所要的能量之加速器;以及 一个用于分布该离子束在该目标之上的扫描器。 15.如申请专利范围第1项之离子植入器,其中该孔 调整机构系包括一或多个可移动的板。 16.一种用于降低在一个离子植入器的一个目标室 中之一离子束以及一种气体之间的改变束的碰撞 之机率的方法,该目标室系适配于包围一个具有光 阻在其上的目标,该方法系包括提供一个分隔器在 该目标室之中,该分隔器系在该目标的离子束处理 期间分隔该目标室成为上游以及下游区域,该目标 系位在该下游区域之中,并且该室分隔器具有一个 穿过其间的孔,该孔的尺寸被制作以容许该离子束 在没有实质的阻挡下通过至该目标,并且限制气体 之逆流进入该室的上游区域。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中该束路径配 置系可调整的,并且当该束路径配置被调整时,该 分隔器孔的尺寸系被调整至该束路径的尺寸。 18.如申请专利范围第16项之方法,其中该室分隔器 系位在使得在该束通过该孔之前,该束的最终能量 系已被决定,并且该离子电流系已被量测出。 图式简单说明: 图1是根据习知技术的一种离子植入器之简化的概 要方块图; 图2是根据本发明之一实施例的一种结合有一个分 隔器在该目标室中之离子植入器的简化的概要方 块图;并且 图3是根据本发明之一实施例的一个具有相关连的 驱动机构之目标室的分隔器从其上游侧观看之立 体图。 |
