| 主权项 |
1.一种平面光波电路,包含: 一波导之一第一部分; 一波导之一第二部分;及 一结晶核光纤片段,其耦合该波导第一部分与该波 导第二部分。 2.如申请专利范围第1项之平面光波电路,进一步包 含: 一光学指数相符胶体,其置于该结晶核光纤片段与 该波导第一部分及第二部分间。 3.如申请专利范围第1项之平面光波电路,其中该结 晶核光纤片段具一主要光轴,其与该平面光波电路 约以一45度角度放置。 4.如申请专利范围第1项之平面光波电路,其中该平 面光波电路为一阵列波导光栅。 5.如申请专利范围第4项之平面光波电路,其中该结 晶核光纤片段置于该阵列波导光栅之一中间部分 。 6.如申请专利范围第5项之平面光波电路,其中该结 晶核光纤片段置于一V沟槽底材。 7.如申请专利范围第4项之平面光波电路,其中该结 晶核光纤片段具一长度,其满足该方程式(2m+1)*/( 2*n),其中m为任何非负整数,为于一光学通讯波 段范围之一光学信号之一波长,且n为该结晶核 光纤片段之一双折射测量。 8.如申请专利范围第7项之平面光波电路,其中该光 学通讯波段范围约800毫微米至1700毫微米。 9.如申请专利范围第7项之平面光波电路,其中该结 晶核光纤片段包含石英,铌酸锂,硼酸锂,beta-硼酸 钡或其他无机物质。 10.如申请专利范围第7项之平面光波电路,其中该 结晶核光纤片段包含一有机或聚合物物质。 11.一种阵列波导光栅,包含: 复数个波导; 一底材之一V沟槽部分,其具多个结晶核光纤片段 插入该复数个波导之一部分。 12.如申请专利范围第11项之阵列波导光栅,进一步 包含: 一光学指数相符胶体,其置于该结晶核光纤多个片 段之末端。 13.如申请专利范围第11项之阵列波导光栅,其中该 底材之V沟槽部分插入该阵列波导光栅之一中点。 14.一种于一平面光波电路内修正双折射之方法,该 方法包含: 移除该平面光波电路之一部分;及 将一部分结晶核光纤插入该平面光波电路。 15.如申请专利范围第14项之方法,其中插入该部分 结晶核光纤进一步包含: 放置该部分结晶核光纤,使该部分结晶核光纤之一 光轴,与该平面光波电路之一底材平面间,约为一45 度角度。 16.如申请专利范围第15项之方法,进一步包含: 插入一指数符合胶体于该部分结晶核光纤与该平 面光波电路间。 17.如申请专利范围第14项之方法,其中该部分结晶 核光纤置于一V沟槽底材。 18.如申请专利范围第17项之方法,其中该结晶核光 纤其他部分亦置于该V沟槽底材。 19.一种于一平面波导内修正双折射之方法,该方法 包含: 导引一光学信号向下至该平面波导之一第一片段; 改变该光学信号之一极化,藉由导引该光学信号通 过一部分结晶核光纤;及 导引该光学信号向下至该平面波导之一第二片段 。 20.如申请专利范围第19项之方法,进一步包含: 减少于该部分结晶核光纤与该平面波导间一介面 之该光学信号损耗,藉由使用一指数相符胶体。 21.如申请专利范围第19项之方法,其中该部分结晶 核光纤之该长度满足该方程式(2m+1)*/(2*n),其 中m为一非负整数,久为该光学信号之一波长,且n 为该部分结晶核光纤之一双折射测量。 22.如申请专利范围第21项之方法,其中于约800毫 微米至1700毫微米之一光学波段范围。 图式简单说明: 图1为一概要图式,显示典型矽土在矽上架构。 图2为一概要图式,显示减少平面光波电路之极化 敏感度之先前技艺方法。 图3为一图式,显示具结晶核光纤插入波导之平面 光波电路,顶部观点之一具体实施例。 图4为一概要图式,显示结晶核光纤连接至一V沟槽 底材。 图5为一概要图式,显示复数个结晶核光纤,插入具 多个波导,例如一阵列波导光栅之平面光波电路里 。 |
