| 主权项 |
1.一种光电装置用基板之制造方法,属于具备将配 置于基板上之感光性之树脂,使用备有光透过部及 光遮蔽部之光罩图案,进行曝光之曝光工程,和显 像曝光之前述树脂之显像工程,和于前述树脂上, 形成反射层之反射层形成工程的光电装置用基板 之制造方法,其特征系前述曝光工程中,经由设定 前述光罩之前述光透过部或前述光遮蔽部之大小, 和前述光罩及前述树脂间之曝光间隔,前述树脂之 表面上之曝光强度分布沿该表面,成曲面状增减变 化之状态下,进行曝光,于前述显像工程中,对应于 前述曝光强度分布,形成具备表面凹凸形状之树脂 层。 2.如申请专利范围第1项之光电装置用基板之制造 方法,其中,前述光罩中,分散配置构成成为复数之 岛状的前述光透过部分,经由将前述光透过部之周 围成为前述光遮蔽部,于树脂层之表面形成对应于 前述光透过部之凹部。 3.如申请专利范围第2项之光电装置用基板之制造 方法,其中,令前述曝光工程之曝光波长为300~450 nm之范围内,令前述光透过部之直径成为约9~12m 之范围内,令前述曝光间隔为约150~250m之范围内 者。 4.如申请专利范围第1项之光电装置用基板之制造 方法,其中,前述光罩中,分散配置构成成为复数之 岛状的前述光遮蔽部分,经由将前述光遮蔽部之周 围成为前述光透过部,于树脂层之表面形成对应于 前述光遮蔽部之凸部。 5.如申请专利范围第4项之光电装置用基板之制造 方法,其中,令前述曝光工程之曝光波长为300~450 nm之范围内,令前述光遮蔽部之直径成为约8~12m 之范围内,令前述曝光间隔为约60~100m之范围内 者。 6.如申请专利范围第1项之光电装置用基板之制造 方法,其中,具有于前述反射层形成工程之后,除去 前述反射层之一部分,形成透过部之透过部形成工 程。 7.如申请专利范围第6项之光电装置用基板之制造 方法,其中,前述透过部形成工程中,与前述反射层 之一部分同时,除去该正下方之前述树脂层的一部 分。 8.一种光电装置之制造方法,属于具有液晶,和于该 液晶施加电场,包含控制该光学特性之电极的电场 赋予构造,和与前述液晶平面性重叠,备有表面凹 凸形状之树脂层,和于前述表面凹凸状上具备反映 前述表面凹凸形状之反射面的反射层的光电装置 之制造方法,其特征系做为形成前述树脂层之工程 ,具有使用具备光透过部及光遮蔽部之光罩,曝光 其有感光性之树脂之曝光工程,和显像曝光之前述 树脂之显像工程;前述曝光工程中,经由设定前述 光罩之前述光透过部或前述光遮蔽部之大小,和前 述光罩及前述树脂间之曝光间隔,前述树脂之表面 上之曝光强度分布沿该表面,成曲面状增减变化之 状态下,进行曝光,于前述显像工程中,对应于前述 曝光强度分布,形成具备前述表面凹凸形状之前述 树脂层。 9.如申请专利范围第8项之光电装置之制造方法,其 中,前述光罩中,分散配置构成成为复数之岛状的 前述光透过部分,经由将前述光透过部之周围成为 前述光遮蔽部,于树脂层之表面形成对应于前述光 透过部之凹部。 10.如申请专利范围第9项之光电装置之制造方法, 其中,令前述曝光工程之曝光波长为300~450nm之范 围内,令前述光透过部之直径成为约9~12m之范围 内,令前述曝光间隔为约150~250m之范围内者。 11.如申请专利范围第8项之光电装置之制造方法, 其中,前述光罩中,分散配置构成成为复数之岛状 的前述光遮蔽部分,经由将前述光遮蔽部之周围成 为前述光透过部,于树脂层之表面形成对应于前述 光遮蔽部之凸部。 12.如申请专利范围第11项之光电装置之制造方法, 其中,令前述曝光工程之曝光波长为300~450nm之范 围内,令前述光遮蔽部之直径成为约8~12m之范围 内,令前述曝光间隔为约60~100m之范围内者。 13.如申请专利范围第8项之光电装置之制造方法, 其中,具有除去前述反射层之一部分,形成透过部 之透过部形成工程。 14.如申请专利范围第13项之光电装置之制造方法, 其中,前述透过部形成工程中,与前述反射层之一 部分同时,除去该正下方之前述树脂层的一部分。 15.如申请专利范围第1项之光电装置用基板之制造 方法,其中,前述曝光工程中,对于前述树脂之曝光 量而言,以经由前述光透过部或前述光遮蔽部之大 小,与前述光罩和前述树脂间之曝光间隔加以决定 之最大曝光量,曝光至不全部除去前述树脂之程度 者。 16如申请专利范围第8项之光电装置之制造方法,其 中,前述曝光工程中,对于前述树脂之曝光量而言, 以经由前述光透过部或前述光遮蔽部之大小,与前 述光罩和前述树脂间之曝光间隔加以决定之最大 曝光量,曝光至不全部除去前述树脂之程度者。 图式简单说明: 图1乃有关本发明之第1实施形态之光电制置用基 板之制造方法之工程说明图(a)~(d)。 图2乃同光电制置用基板之制造方法之工程说明图 (a)~(c)。 图3乃显示对于同光电装置用基板之制造方法之曝 光工程,对比实施例(A)和比较例(B)之说明图。 图4乃显示将同光电装置用基板之制造方法之曝光 工程之单位范围S之光罩,对比实施例(A)和比较例(B )之说明图。 图5乃显示同光电装置用基板之制造方法之曝光工 程之光罩整体的构成概略平面图。 图6乃显示同光电装置用基板之制造方法之曝光工 程之光罩之光透过部之直径D及曝光间隔G,和形成 之树脂层之正反射率(平行线反射率)之关系图。 图7乃显示同光电装置用基板之制造方法之曝光工 程之感光性树脂之膜厚及曝光间隔G,和形成之树 脂层之正反射率(平行线反射率)之关系图。 图8乃显示使用于有关本发明之第2实施形态之光 电装置用基板之制造方法的光罩之单位范围S之光 罩图案的说明图。 图9乃显示重叠第2实施形态之1次曝光时之光罩及2 次曝光时之光罩的说明图。 图10乃显示第1实施形态及第2实施形态之反射层之 散乱光强度的散乱角关连性图。 图11乃显示第2实施形态之光罩之光透过部之直径D 及曝光间隔G、和形成之树脂层之正反射率(平行 线反射率)的关系图(a),及显示感光性树脂之膜厚 及曝光间隔G、和形成之树脂层之正反射率(平行 线反射率)的关系图(b)。 图12乃显示有关本发明之光电装置之制造方法所 形成之第3实施形态之液晶显示装置之概观的概略 斜视图。 图13乃模式性显示经由受光电装置之制造方法所 形成之液晶显示装置之剖面构造的概略部分剖面 图(a)及显示该光电装置用基板之平面构造的概略 部分平面图(b)。 图14乃显示第4实施形态之液晶显示装置之概观的 概略斜视图。 图15乃第4实施形态之液晶显示装置之一方之基板 之扩大部分剖面图。 图16乃比较例之光电装置用基板之制造方法之工 程说明图(a)~(d)。 图17乃同比较例之光电装置用基板之制造方法之 工程说明图(a)~(d)。 |
