| 主权项 |
1.一种电晶体之制备方法,包括: (A)提供一半导体层,该半导体层之上表面具有至少 一源极凹槽、至少一汲极凹槽、至少一通道、至 少一闸极介电层、和至少一闸极,其中该通道夹置 于该源极凹槽和该汲极凹槽之间,该闸极介电层位 于该通道上,该闸极位于该闸极介电层上; (B)蚀刻该源极凹槽和该汲极凹槽之表面;以及 (C)于该源极凹槽和该汲极凹槽形成一源极和一汲 极。 2.如申请专利范围第1项所述之电晶体之制备方法, 其中步骤(B)和步骤(C)均于真空中进行,且不破真空 。 3.如申请专利范围第1项所述之电晶体之制备方法, 其中步骤(B)系以远端电浆蚀刻进行。 4.如申请专利范围第3项所述之电晶体之制备方法, 其中该远端电浆蚀刻所使用之电浆为Ar电浆、H2电 浆、NF3电浆、HCl电浆。 5.如申请专利范围第4项所述之电晶体之制备方法, 其中更包括一步骤(B)'以HF蒸气清洗该源极凹槽和 该汲极凹槽,且步骤(B)'介于步骤(B)和步骤(C)之间 。 6.如申请专利范围第1项所述之电晶体之制备方法, 其中步骤(B)系以化学蚀刻进行。 7如申请专利范围第6项所述之电晶体之制备方法, 其中该化学蚀刻所使用之蚀刻液为HCl。 8.如申请专利范围第7项所述之电晶体之制备方法, 其中更包括一步骤(B)"形成另一半导体层于该源极 凹槽和该汲极凹槽之表面,且该另一半导体层和该 半导体层之材料相同。 9.如申请专利范围第1项所述之电晶体之制备方法, 其中步骤(C)系以化学沉积完成。 10.如申请专利范围第1项所述之电晶体之制备方法 ,其中该源极和该汲极为掺杂有P型掺杂物之半导 体。 11.如申请专利范围第10项所述之电晶体之制备方 法,其中该P型掺杂物为锗。 12.如申请专利范围第1项所述之电晶体之制备方法 ,其中之该源极和该汲极为掺杂有N型掺杂物之半 导体。 13.如申请专利范围第12项所述之电晶体之制备方 法,其中该N型掺杂物为碳。 14.如申请专利范围第1项所述之电晶体之制备方法 ,其中该闸极为多晶的矽。 15.如申请专利范围第1项所述之电晶体之制备方法 ,其中该闸极介电层为矽氮化物。 16.如申请专利范围第1项所述之电晶体之制备方法 ,其中该半导体层为单晶的矽。 图式简单说明: 图1系本发明一实施例PMOS电晶体半成品之侧视图 。 图2系为图1之PMOS电晶体半成品经过蚀刻而形成源 极凹槽和汲极凹槽后之侧视图。 图3系图2之PMOS电晶体半成品沉积源极和汲极后之 侧视图。 |
