| 主权项 |
1.一种图像显示装置,具备有包含至少一阳极、一 阴极、及一发光层之一积层构造,其特征为具备一 吸收层,该吸收层系设在该发光层发出之光之一射 出侧,该吸收层之折射率系比该发光层和位在前述 发光层发出之光之该射出侧之层构造之间至少一 层以上之层构造之折射率还高,该吸收层系吸收与 该发光层发出之光之波长不同波长之光,该光在该 积层构造之界面上之反射率系高于该发光层发出 之波长之光之反射率。 2.一种图像显示装置,其具备有包含至少一阳极、 一阴极、及一发光层之一积层构造,其特征为具备 : 一吸收层,用于吸收与前述发光层发出之光之波长 不同波长之光,该光在该积层构造之界面上之反射 率高于该发光层发出之波长之光之反射率。 3.如申请专利范围第2项之图像显示装置,其中具备 一高折射率层,设在该发光层发出之光之射出侧, 其折射率比该发光层和位在该发光层发出之光之 射出侧之层构造之中至少一层以上之层构造的折 射率还高。 4.如申请专利范围第3项之图像显示装置,其中该高 折射率层之折射率系比前述发光层之折射率高。 5.如申请专利范围第3项之图像显示装置,其中该吸 收层之膜厚和该高折射率层之膜厚之合计膜厚系 60~90nm。 6.如申请专利范围第4项之图像显示装置,其中该吸 收层之膜厚和该高折射率层之膜厚之合计膜厚系 60~90nm。 7.如申请专利范围第1到第6项中任一项之图像显示 装置,其中该吸收层至少包含一添加物,用于吸收 与该发光层发出之光之波长不同波长,且在该积层 构造之界面上具有反射率高于该发光层发出之波 长之光之反射率之光。 8.一种图像显示装置,具备至少包含一阳极、一阴 极及发出既定波长之一发光层之一积层构造之图 像显示装置,其特征为: 该发光层系用以吸收与该发光层发出之光之波长 不同波长,且在该积层构造之界面上具有反射率高 于该发光层发出之波长之光之反射率之光。 9.如申请专利范围第8项之图像显示装置,其中该发 光层至少包含一添加物,用于吸收与该发光层发出 之光之波长不同波长,且在该积层构造之界面上具 有反射率高于该发光层发出之波长之光之反射率 之光。 图式简单说明: 第1图示出第1实施形态之有机EL元件之积层构造之 图。 第2-1图示出带蓝浅红之分子构造之图。 第2-2图示出带蓝浅红之莫耳吸光系数之波长依存 性之图。 第3图示出从外部射入在第1实施形态之有机EL元件 之光的路径之图。 第4图示出第1实施形态上对盖层之膜厚变化、反 射率之变化之图。 第5图示出第1实施形态上对盖层之膜厚变化、取 光效率之变化之图。 第6-1图示出第1实施形态上有机EL元件之射出光之 色座标之x座标上之变化和盖层之膜厚变化之图。 第6-2图示出第1实施形态上有机EL元件之射出光之 色座标之y座标上之变化和盖层之膜厚变化之图。 第7图示出第2实施形态之有机EL元件之积层构造之 图。 第8图示出在第2实施形态对盖层之膜厚变化、反 射率之变化之图。 第9图示出在第2实施形态对盖层之膜厚变化、取 光效率之变化之图。 第10图示出在第2实施形态对盖层之膜厚变化、反 射率之变化之图。 第11图示出在第2实施形态对盖层之膜厚变化、取 光效率之变化之图。 第12图示出第3实施形态之有机EL元件之积层构造 之图。 第13图示出第3实施形态对吸收层之膜厚变化、反 射率之变化之图。 第14图示出第3实施形态对吸收层之膜厚变化、取 光效率之变化之图。 第15图示出以往技术之有机EL元件之积层构造之图 。 第16图示出在以往技术上对盖层之膜厚变化、取 光效率之变化之图。 第17图示出以往技术之有机EL元件之取光效率和反 射率之波长依存性之模式图。 第18图示出从外部射入以往技术之有机EL元件之光 之路径之图。 第19图示出比视感度之波长依存性之图。 第20图示出在以往技术,对盖层之膜厚变化、反射 率之变化之图。 |
