发明名称 清洁片材及利用该片材清洁基板处理装置之清洁方法
摘要 一种清洁片材,包含:一清洁层;及一经包含聚矽氧之剥离剂处理之保护膜,此保护膜系于清洁层之至少一面上设置为隔离物;其中,当将隔离物自清洁层剥离时,附着至清洁层之聚矽氧之量以聚二甲基矽氧烷计算为0.005克/平方米或以下。
申请公布号 TWI250569 申请公布日期 2006.03.01
申请号 TW091132410 申请日期 2002.11.01
申请人 日东电工股份有限公司 发明人 寺田好夫;并河亮
分类号 H01L21/302 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号1112室;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号1112室
主权项 1.一种清洁片材,包含: 一清洁层;及 一经包含聚矽氧之剥离剂处理之保护膜,该保护膜 系于清洁层之至少一面上设置为隔离物; 其中,当将该隔离物自清洁层剥离时,附着至清洁 层之聚矽氧之量以聚二甲基矽氧烷计算为0.005克/ 平方米或以下。 2.一种清洁片材,包含: 一清洁层;及 一经包含聚矽氧之剥离剂处理之保护膜,该保护膜 系于清洁层之至少一面上设置为隔离物; 其中,该隔离物具有以0.1克/平方米或以下(以聚二 甲基矽氧烷计算)之量涂布之聚矽氧。 3.一种清洁片材,包含: 一清洁层; 一经包含聚矽氧之剥离剂处理之保护膜,该保护膜 系于清洁层之一面上设置为隔离物;及 一设置于清洁层之另一面上之黏着层; 其中,当将该隔离物自清洁层剥离时,附着至清洁 层之聚矽氧之量以聚二甲基矽氧烷计算为0.005克/ 平方米或以下。 4.一种清洁片材,包含: 一清洁层; 一经包含聚矽氧之剥离剂处理之保护膜,该保护膜 系于清洁层之一面上设置为隔离物;及 一设置于清洁层之另一面上之黏着层; 其中,该隔离物具有以0.1克/平方米或以下(以聚二 甲基矽氧烷计算)之量涂布之聚矽氧。 5.一种清洁片材,包含: 一衬片; 一设置于衬片之至少一面上之清洁层;及 一经包含聚矽氧之剥离剂处理之保护膜,该保护膜 系于清洁层上设置为隔离物; 其中,当将该隔离物自清洁层剥离时,附着至清洁 层之聚矽氧之量以聚二甲基矽氧烷计算为0.005克/ 平方米或以下。 6.一种清洁片材,包含: 一衬片; 一设置于衬片之至少一面上之清洁层;及 一经包含聚矽氧之剥离剂处理之保护膜,该保护膜 系于清洁层上设置为隔离物; 其中,该隔离物具有以0.1克/平方米或以下(以聚二 甲基矽氧烷计算)之量涂布之聚矽氧。 7.一种清洁片材,包含: 一衬片; 一设置于衬片之一面上之清洁层; 一设置于衬片之另一面上之黏着层;及 经包含聚矽氧之剥离剂处理之保护膜,该保护膜系 至少于清洁层上设置为隔离物; 其中,当将该隔离物自清洁层剥离时,附着至清洁 层之聚矽氧之量以聚二甲基矽氧烷计算为0.005克/ 平方米或以下。 8.一种清洁片材,包含: 一衬片; 一设置于衬片之一面上之清洁层; 一设置于衬片之另一面上之黏着层;及 经包含聚矽氧之剥离剂处理之保护膜,该保护膜系 至少于清洁层上设置为隔离物; 其中,该隔离物具有以0.1克/平方米或以下(以聚二 甲基矽氧烷计算)之量涂布之聚矽氧。 9.一种清洁片材,包含: 一清洁层;及 一包含聚烯烃树脂、热劣化抑制剂及润滑剂之保 护膜该保护膜系于清洁层之至少一面上设置为隔 离物,及该保护膜系未经剥离剂处理; 其中,该热劣化抑制剂及该润滑剂之总量以100份重 量之聚烯烃树脂计系低于0.01份重量。 10.一种清洁片材,包含: 一清洁层; 一包含聚烯烃树脂、热劣化抑制剂及润滑剂之保 护膜该保护膜系于清洁层之一面上设置为隔离物, 及该保护膜系未经剥离剂处理;及 一设置于清洁层之另一面上之黏着层; 其中,该热劣化抑制剂及该润滑剂之总量以100份重 量之聚烯烃树脂计系低于0.01份重量。 11.一种清洁片材,包含: 一衬片; 一设置于衬片之至少一面上之清洁层;及 一包含聚烯烃树脂、热劣化抑制剂及润滑剂之保 护膜,该保护膜系于清洁层上设置为隔离物,及该 保护膜系未经剥离剂处理; 其中,该热劣化抑制剂及该润滑剂之总量以100份重 量之聚烯径树脂计系低于0.01份重量。 12.一种清洁片材,包含: 一衬片; 一设置于衬片之一面上之清洁层; 一设置于衬片之另一面上之黏着层;及 一包含聚烯烃树脂、热劣化抑制剂及润滑剂之保 护膜该保护膜系至少于清洁层上设置为隔离物,及 该保护膜系未经剥离剂处理; 其中,该热劣化抑制剂及该润滑剂之总量以100份重 量之聚烯烃树脂计系低于0.01份重量。 13.如申请专利范围第9至12项中任一项之清洁片材, 其中,该保护膜不包含热劣化抑制剂及润滑剂。 14.一种具清洁功能之输送元件,包含一输送元件、 一以黏着层插置于其间而设置于输送元件上之如 申请专利范围第3、4、7、8、10及12项中任一项之 清洁片材。 15.一种清洁基板处理装置之方法,此方法包含: 将如申请专利范围第1、2、5、6、9及11项中任一项 之清洁片材,或包含输送元件、以黏着层插置于其 间而设置于输送元件上之如申请专利范围第3、4 、7、8、10及12项中任一项之清洁片材之具清洁功 能之输送元件的保护膜剥离;及 于剥离之后将该清洁片材或输送元件输送至基板 处理装置中。 16.一种具清洁功能之标签片材,包含: 一衬片; 一设置于衬片之一面上之清洁层; 一设置于清洁层上之剥离薄膜; 一隔离物;及 一设置于衬片之另一面上之黏着层,且其系在隔离 物可自黏着层剥离之条件下设置于隔离物上; 其中,将至少一黏着层彼此分开地连续设置于一隔 离物上,及 使该隔离物自黏着层剥离所需之180剥离黏着力系 0.05牛顿/50毫米或以上。 17.一种具清洁功能之标签片材,包含: 一衬片; 一设置于衬片之一面上之清洁层; 一设置于清洁层上之剥离薄膜; 一隔离物;及 一设置于衬片之另一面上之黏着层,且其系在隔离 物可自黏着层剥离之条件下设置于隔离物上; 其中,将至少一黏着层彼此分开地连续设置于一隔 离物上,及 该隔离物系以日东电工(股)制造之No.31 B带测定,具 有85%或以上之百分残留黏着力的隔离物。 18.如申请专利范围第16或17项之具清洁功能之标签 片材,其中,该清洁层根据JIS K7127试验方法之拉伸 模数为10MPa或以上。 19.如申请专利范围第16或17项之具清洁功能之标签 片材,其中,该清洁层包含含有下列成份之固化黏 着剂:感压黏着聚合物,每分子具一或多个不饱和 双键之可聚合不饱和化合物,及聚合引发剂。 20.如申请专利范围第16或17项之具清洁功能之标签 片材,其中,该清洁层包含含有下列成份之固化黏 着剂:感压黏着聚合物,每分子具一或多个不饱和 双键之可聚合不饱和化合物,及聚合引发剂;及该 感压黏着剂系包含(甲基)丙烯酸烷基酯之丙烯酸 系聚合物。 21.如申请专利范围第16或17项之具清洁功能之标签 片材,其中,该清洁层包含含有下列成份之固化黏 着剂:感压黏着聚合物,每分子具一或多个不饱和 双键之可聚合不饱和化合物,及聚合引发剂;及该 聚合引发剂系为光聚合引发剂及该清洁层系为光 固化黏着层。 22.一种制造具清洁功能之标签片材之方法,此方法 包含: 提供一在衬片之一面上之清洁层,该清洁层具有于 其表面之剥离薄膜,及该清洁层包含藉由活化能而 聚合及固化之黏着剂;及 提供一在隔离物可自黏着层剥离之条件下之在衬 片与隔离物之间之黏着层,该黏着层系在衬片之另 一面上; 其中,自清洁层转移至矽晶圆之尺寸0.2微米或以上 之外来物质的量系为20件/平方英寸或以下。 23.如申请专利范围第22项之方法,包含: 在该黏着剂之聚合及固化之前将第一剥离薄膜自 清洁层剥离; 使清洁层在没有实质氧效应的条件下进行聚合及 固化; 于进行聚合及固化之后以第二剥离薄膜保护清洁 层之表面;及 将制得之清洁层、衬片、黏着层及第二剥离薄膜 之层合物冲孔成为标签形态。 24.如申请专利范围第23项之方法,其中,该第一剥离 薄膜系具包含聚矽氧之剥离剂之薄膜。 25.如申请专利范围第22项之方法,其中,该清洁层于 冲孔过程中之根据JIS K7127试验方法之拉伸模数为 10MPa或以上。 26.如申请专利范围第22项之方法,其中,该清洁层包 含含有下列成份之固化黏着剂:感压黏着聚合物, 每分子具一或多个不饱和双键之可聚合不饱和化 合物,及聚合引发剂。 27.如申请专利范围第26项之方法,其中,该感压黏着 聚合物系包含(甲基)丙烯酸及(甲基)丙烯酸烷基酯 之至少一者的丙烯酸系聚合物。 28.如申请专利范围第26项之方法,其中,该聚合引发 剂系为光聚合引发剂及该清洁层系为光固化黏着 层。 29.如申请专利范围第22项之方法,其中,将至少一黏 着层彼此分开地连续设置于一隔离物上。 图式简单说明: 图1系说明本发明之具清洁功能之标签片材之一具 体例的平面图。 图2系沿图1之线条a-a的剖面图。
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