| 主权项 |
1.一种制造半导体装置的方法,在封装基体上使得 用于无引线晶片载体封装之多层晶圆来分裂,该方 法包含下列步骤: 在该晶圆之厚度方向中,形成大致V形槽沟在该晶 圆的相对主表面之一内; 在该晶圆之另一主表面内形成对齐该槽沟的弱劈 裂部份;及 施加劈裂力量到该晶圆,因而在该劈裂部内形成裂 隙,因而使得该晶圆在该晶圆之厚度方向中自该槽 沟向该劈裂部来分裂,其中该劈裂部份包含槽沟, 具有相当大宽度包括相对该槽沟之对齐误差。 2.一种制造半导体装置的方法,在封装基体上使得 用于无引线晶片载体封装之多层晶圆来分裂,该方 法包含下列步骤: 在该晶圆之厚度方向中,形成大致V形槽沟在该晶 圆的相对主表面之一内; 在该晶圆之另一主表面内形成对齐该槽沟的弱劈 裂部份;及 施加劈裂力量到该晶圆,因而在该劈裂部内形成裂 隙,因而使得该晶圆在该晶圆之厚度方向中自该槽 沟向该劈裂部来分裂,其中该劈裂部份包含多数槽 沟,以锯齿形式边靠边地来定位。 3.一种制造半导体装置的方法,在封装基体上使得 用于无引线晶片载体封装之多层晶圆来分裂,该方 法包含下列步骤: 在该晶圆之厚度方向中,形成大致V形槽沟在该晶 圆的相对主表面之一内; 在该晶圆之另一主表面内形成对齐该槽沟的弱劈 裂部份;及 施加劈裂力量到该晶圆,因而在该劈裂部内形成裂 隙,因而使得该晶圆在该晶圆之厚度方向中自该槽 沟向该劈裂部来分裂,其中该劈裂部份包含不同于 该晶圆之热膨胀系数的带部。 4.一种制造半导体装置的方法,在封装基体使得用 于无引线晶片载体封装之多层晶圆分裂,该方法包 含下列步骤: 在该晶圆之厚度方向中,形成大致V形槽沟在该晶 圆相对主表面之其一内; 在对齐该槽沟之晶圆另一主表面内形成强且非劈 裂部份;及 施加劈裂力量到该晶圆,因而,因为该非劈裂部份 及该晶圆间之劈裂力量的差异,使得在该非劈裂部 份及该晶圆间之介面分裂,因而在该晶圆之厚度方 向中使得该晶圆自该槽沟向该非劈裂部份来分裂 。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中该非劈裂部份 包含比较该晶圆更强固之带部。 图式简单说明: 第1A图为平面图,表示以制造半导体装置之习用方 法来断裂多层晶圆; 第1B图是剖面图,表示第1A图圆A晶圆部份; 第2A图是平面图,表示以根据本发明制造半导体装 置之方法的第一实施例来断裂多层晶圆; 第2B图是剖面图,表示第1A图圆A晶圆部份; 第3图是对应第2B图的剖面图,表示本发明第二实施 例; 第4图也是对应第2B图的剖面图,表示本发明第三实 施例;及 第5图是剖面图,表示可应用于所揭示任一实施例 之特定断裂装备。 |
