| 主权项 |
1.一种显示装置,系具有萤光屏面、及在前述萤光 屏面上所形成之由3层以上之层而成之多层反射带 电防止膜者,而其特征为: 前述多层反射带电防止膜,系从前述萤光屏面依序 具有吸收层、导电层以及保护层,而前述吸收层系 含有至少1种之有机色素、SiO2以及矽烷偶合剂,且 前述矽烷偶合剂之含量系对前述SiO2与前述有机色 素之固体成份之合计重量为7倍量以下。 2.如申请专利范围第1项之显示装置,其中前述矽烷 偶合剂之含量系对前述SiO2与前述有机色素之固体 成份之合计重量为2倍量以上7倍量以下。 3.如申请专利范围第2项之显示装置,其中前述矽烷 偶合剂之含量系对前述SiO2与前述有机色素之固体 成份之合计重量为3倍量以上5倍量以下。 4.如申请专利范围第1项之显示装置,其中前述矽烷 偶合剂,具有选自烷基、乙烯基、苯基、环烷基、 羰基、醚基、羧基、酯基、巯基、醯胺基、胺基 、氰基以及硝基中之至少1个功能基者。 5.如申请专利范围第1项之显示装置,其中前述导电 层,含有选自3A、4A、5A、6A、7A、8、1B、2B、3B以及4 B族中之至少1种元素之至少1种金属微粒子或含有 金属化合物微粒子。 6.如申请专利范围第1项之显示装置,其中前述吸收 层,含有在400至750nm具有选择吸收性之至少1种有机 色素。 7.如申请专利范围第1项之显示装置,其中前述吸收 层在400至750nm之膜穿透率为90至50%、导电层在400至 750nm之膜穿透率为100至70%、且作为多层膜之膜穿 透率为90至40%。 8.如申请专利范围第1项之显示装置,其中前述多层 反射带电防止膜在400至750nm之视觉正规反射率为2. 0%以下。 9.如申请专利范围第1项之显示装置,其中前述多层 反射带电防止层之表面电阻値为500k/以下。 10.如申请专利范围第1项之显示装置,其中前述显 示装置系显像管(Braun tube)。 11.一种显示装置之制造方法,其特征为:具备 在显示装置之萤光屏面上形成含有至少1种之有机 色素、SiO2以及对前述SiO2与前述有机色素之固体 成份之合计重量为7倍量以下之矽烷偶合剂之吸收 层之过程、及 在前述吸收层上依序形成导电层、保护层之过程 、及 将前述吸收层、导电层以及保护层热处理之过程 。 12.如申请专利范围第11项之显示装置之制造方法, 其中前述矽烷偶合剂之含量系对前述SiO2与前述有 机色素之固体成份之合计重量为2倍量以上7倍量 以下。 13.如申请专利范围第12项之显示装置之制造方法, 其中前述矽烷偶合剂之含量系对前述SiO2与前述有 机色素之固体成份之合计重量为3倍量以上5倍量 以下。 14.如申请专利范围第11项之显示装置之制造方法, 其中前述矽烷偶合剂,具有选自烷基、乙烯基、苯 基、环氧基、羰基、醚基、羧基、酯基、巯基、 醯胺基、胺基、氰基以及硝基中之至少1个功能者 。 15.如申请专利范围第11项之显示装置之制造方法, 其中前述吸收层、导电层以及保护层之形成过程, 具有将含有各层之构成成份之溶液依湿式方式之 涂覆(coating)法涂布后乾燥之过程。 16.如申请专利范围第11项之显示装置之制造方法, 其中前述吸收层、导电层以及保护层之形成过程, 具有将含有各层之构成成份之溶液依旋涂(spin coating)法或浸渍(dipping)法涂布后乾燥之过程。 17.如申请专利范围第11项之显示装置之制造方法, 其中前述吸收层、导电层以及保护层之形成过程, 具有将含有各层之构成成份之溶液涂布后,在20至 35℃之温度条件下乾燥1至5分钟之过程。 图式简单说明: 第1图:表示本发明之显示装置之一例之剖面图。 第2图:表示本发明之显示装置之重要部份之一例 之剖面图。 |
