发明名称 表面声波装置
摘要 本发明系包含有基板(10)、形成于该基板上之一对反射电极(14,18),及形成被该一对反射电极夹于其中之多数驱动电极(12);其中各反射电极之周期系按各所预定之变化图案而改变。藉此,可同时提升乱真抑制以及角形特性(通带之肩部分的陡峭性)。
申请公布号 TWI250723 申请公布日期 2006.03.01
申请号 TW092103946 申请日期 2003.02.25
申请人 富士通媒体装置股份有限公司 发明人 川内治;折户悟士;阿部卓也
分类号 H03H9/25 主分类号 H03H9/25
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种表面声波装置,系包含有:基板、形成于该基 板上之一对反射电极,及,形成被该一对反射电极 夹于其中之多数驱动电极;前述各反射电极之周期 系按各所预定之变化图案而改变者。 2.一种表面声波装置,系包含有:形成于基板上之一 对反射电极,及,形成被该一对反射电极夹于其中 之多数驱动电极;前述各反射电极系划分成多数区 块,前述各反射电极之周期系于至少两区块相异者 。 3.如申请专利范围第1项之表面声波装置,其中前述 各反射电极之周期系于该反射电极内呈连续变化 者。 4.如申请专利范围第1项之表面声波装置,其中前述 各反射电极之周期系呈线性变化者。 5.如申请专利范围第1项之表面声波装置,其中前述 各反射电极之周期系呈非线性变化者。 6.如申请专利范围第1项之表面声波装置,其中前述 各反射电极之周期系呈曲线变化者。 7.如申请专利范围第1项之表面声波装置,其中前述 各反射电极之变化图案系于前述各反射电极之中 间部分具有尖峰。 8.如申请专利范围第1项之表面声波装置,其中前述 各反射电极之变化图案系以前述多数驱动电极为 中心而呈对称者。 9.如申请专利范围第1项之表面声波装置,其中前述 各反射电极之变化图案系以前述多数驱动电极为 中心而为非对称者。 10.如申请专利范围第1项之表面声波装置,其中前 述各反射电极系具有同一变化图案者。 11.如申请专利范围第1项之表面声波装置,其中前 述各反射电极系具有相异之变化图案者。 12.如申请专利范围第2项之表面声波装置,其中前 述各反射电极中,前述周期系于相邻接之区块相异 者。 13.如申请专利范围第2项之表面声波装置,其中前 述各反射电极中,前述周期系于每一区块皆相异者 。 14.如申请专利范围第2项之表面声波装置,其中前 述各反射电极中,前述周期系跨前述多数区块作连 续变化者。 15.如申请专利范围第2项之表面声波装置,其中前 述各反射电极中,前述周期系跨前述多数区块作线 性变化者。 16.如申请专利范围第2项之表面声波装置,其中前 述各反射电极中,前述周期系跨前述多数区块作非 线性变化者。 17.如申请专利范围第2项之表面声波装置,其中前 述各反射电极中,跨前述多数区块之前述周期之变 化系以前述多数驱动电极为中心而呈对称者。 18.如申请专利范围第2项之表面声波装置,其中前 述各反射电极中,跨前述多数区块之前述周期之变 化系以前述多数驱动电极为中心而呈非对称者。 19.如申请专利范围第2项之表面声波装置,其中前 述各反射电极中,令前述多数区块中位于中间区块 之周期为最大及最小中之一者。 20.如申请专利范围第2项之表面声波装置,其中前 述各反射电极中,令前述多数区块中位于最外侧之 区块的周期为最大及最小中之一者。 21.如申请专利范围第2至20项中任一项之表面声波 装置,其中前述各区块内,前述周期为一定者。 22.如申请专利范围第1至19项中任一项之表面声波 装置,其中前述各反射电极系具有相异之周期。 23.如申请专利范围第1至19项中任一项之表面声波 装置,其中前述各反射电极系具有同一周期者。 24.一种表面声波装置,系纵列连接多模式共振器者 ,其中各共振器系具有于:形成于共通基板上之一 对反射电极,及,形成被前述一对反射电极夹于其 中之多数驱动电极,且于前述各共振器中,前述各 反射电极之周期系按各所预定之变化图案而改变 者。 25.如申请专利范围第24项之表面声波装置,其中前 述各共振器中,第1共振器之变化图案与第2共振器 之变化图案相异者。 26.如申请专利范围第24项之表面声波装置,其中前 述各共振器中,第1共振器之变化图案与第2共振器 之变化图案系同一者。 27.如申请专利范围第24项之表面声波装置,其中前 述各共振器中,第1共振器与第2共振器系具有相异 周期者。 28.如申请专利范围第24项之表面声波装置,其中前 述各共振器中,第1共振器与第2共振器系具有同一 周期者。 29.如申请专利范围第24至26项中任一项之表面声波 装置,其中前述表面声波装置系指至少输入与输出 中之一者为平衡型者。 图式简单说明: 第1图系本发明之第1实施形态之示意图。 第2图系比较例之示意图。 第3图系本发明之第1实施形态之另一结构例之示 意图。 第4图系显示本发明之第1实施形态与比较例之频 率特性图。 第5图系本发明之第2实施形态之示意图。 第6图系本发明之第2实施形态之另一结构例之示 意图。 第7A及7B图系本发明之第3实施形态之示意图。 第8图系显示本发明之第1实施例之频率特性图。 第9图系显示本发明之第2、3、4实施例及比较例之 特性图。
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