| 主权项 |
1.一种静电夹头,其特征在于包括: 陶瓷介电质层,由室温之体积固有电阻値11017 cm以上、300℃之体积固有电阻値11014cm以上之 氧化铝烧结体所构成;以及 面状电极,形成于前述陶瓷介电质层之某一边之面 上。 2.如申请专利范围第1项之静电夹头,其中,前述氧 化铝烧结体系400℃之体积固有电阻値成为11014 cm以上。 3.如申请专利范围第1或2项之静电夹头,其中,前述 氧化铝烧结体系纯度99.5重量%以上、密度3.80~4.00g/ cm3。 4.如申请专利范围第1或2项之静电夹头,其中,前述 氧化铝烧结体系在惰性气体气氛或还原气氛下,藉 由热冲压法而烧成。 5.如申请专利范围第3项之静电夹头,其中,前述氧 化铝烧结体系在惰性气体气氛或还原气氛下,藉由 热冲压法而烧成。 6.如申请专利范围第1或2项之静电夹头,其中,前述 陶瓷介电质层系厚度0.05mm~0.50mm。 7.如申请专利范围第3项之静电夹头,其中,前述陶 瓷介电质层系厚度0.05 mm~0.50mm。 8.如申请专利范围第4项之静电夹头,其中,前述陶 瓷介电质层系厚度0.05 mm~0.50mm。 9.如申请专利范围第5项之静电夹头,其中,前述陶 瓷介电质层系厚度0.05 mm~0.50mm。 10.如申请专利范围第1或2项之静电夹头,其中,具有 透过前述电极而接合于前述陶瓷介电质层之陶瓷 基体,前述陶瓷介电质层、前述电极及前述陶瓷基 体系藉由热冲压法而烧成之一体烧结品。 11.如申请专利范围第3项之静电夹头,其中,具有透 过前述电极而接合于前述陶瓷介电质层之陶瓷基 体,前述陶瓷介电质层、前述电极及前述陶瓷基体 系藉由热冲压法而烧成之一体烧结品。 12.如申请专利范围第4项之静电夹头,其中,具有透 过前述电极而接合于前述陶瓷介电质层之陶瓷基 体,前述陶瓷介电质层、前述电极及前述陶瓷基体 系藉由热冲压法而烧成之一体烧结品。 13.如申请专利范围第5项之静电夹头,其中,具有透 过前述电极而接合于前述陶瓷介电质层之陶瓷基 体,前述陶瓷介电质层、前述电极及前述陶瓷基体 系藉由热冲压法而烧成之一体烧结品。 14.如申请专利范围第6项之静电夹头,其中,具有透 过前述电极而接合于前述陶瓷介电质层之陶瓷基 体,前述陶瓷介电质层、前述电极及前述陶瓷基体 系藉由热冲压法而烧成之一体烧结品。 15.如申请专利范围第7项之静电夹头,其中,具有透 过前述电极而接合于前述陶瓷介电质层之陶瓷基 体,前述陶瓷介电质层、前述电极及前述陶瓷基体 系藉由热冲压法而烧成之一体烧结品。 16.如申请专利范围第8项之静电夹头,其中,具有透 过前述电极而接合于前述陶瓷介电质层之陶瓷基 体,前述陶瓷介电质层、前述电极及前述陶瓷基体 系藉由热冲压法而烧成之一体烧结品。 17.如申请专利范围第9项之静电夹头,其中,具有透 过前述电极而接合于前述陶瓷介电质层之陶瓷基 体,前述陶瓷介电质层、前述电极及前述陶瓷基体 系藉由热冲压法而烧成之一体烧结品。 18.如申请专利范围第10项之静电夹头,其中,前述陶 瓷基体系氧化铝烧结体。 19.如申请专利范围第11项之静电夹头,其中,前述陶 瓷基体系氧化铝烧结体。 20.如申请专利范围第12项之静电夹头,其中,前述陶 瓷基体系氧化铝烧结体。 21.如申请专利范围第13项之静电夹头,其中,前述陶 瓷基体系氧化铝烧结体。 22.如申请专利范围第14项之静电夹头,其中,前述陶 瓷基体系氧化铝烧结体。 23.如申请专利范围第15项之静电夹头,其中,前述陶 瓷基体系氧化铝烧结体。 24.如申请专利范围第16项之静电夹头,其中,前述陶 瓷基体系氧化铝烧结体。 25.如申请专利范围第17项之静电夹头,其中,前述陶 瓷基体系氧化铝烧结体。 26.一种静电夹头,其特征在于包括: 陶瓷介电质层,由室温之体积固有电阻値11017 cm以上、200℃之体积固有电阻値11015cm以上之 氧化铝烧结体所构成;以及 面状电极,形成于前述陶瓷介电质层之某一边之面 上。 27.如申请专利范围第26项之静电夹头,其中,前述氧 化铝烧结体系纯度99.5重量%以上、密度3.80~4.00g/cm3 。 28.如申请专利范围第26或27项之静电夹头,其中,前 述氧化铝烧结体系在惰性气体气氛或还原气氛下, 藉由热冲压法而烧成。 29.如申请专利范围第26或27项之静电夹头,其中,前 述陶瓷介电质层系厚度0.05mm~0.50mm。 30.如申请专利范围第28项之静电夹头,其中,前述陶 瓷介电质层系厚度0.05mm~0.50mm。 31.如申请专利范围第26或27项之静电夹头,其中,具 有透过前述电极而接合于前述陶瓷介电质层之陶 瓷基体,前述陶瓷介电质层、前述电极及前述陶瓷 基体系藉由热冲压法而烧成之一体烧结品。 32.如申请专利范围第28项之静电夹头,其中,具有透 过前述电极而接合于前述陶瓷介电质层之陶瓷基 体,前述陶瓷介电质层、前述电极及前述陶瓷基体 系藉由热冲压法而烧成之一体烧结品。 33.如申请专利范围第29项之静电夹头,其中,具有透 过前述电极而接合于前述陶瓷介电质层之陶瓷基 体,前述陶瓷介电质层、前述电极及前述陶瓷基体 系藉由热冲压法而烧成之一体烧结品。 34.如申请专利范围第30项之静电夹头,其中,具有透 过前述电极而接合于前述陶瓷介电质层之陶瓷基 体,前述陶瓷介电质层、前述电极及前述陶瓷基体 系藉由热冲压法而烧成之一体烧结品。 35.如申请专利范围第31项之静电夹头,其中,前述陶 瓷基体系氧化铝烧结体。 36.一种静电夹头之制造方法,其特征在于包括: 使用包含氧化铝99.5重量%以上之陶瓷原料粉末,在 惰性气体气氛或还原气氛下,藉由热冲压法而进行 烧成,制作氧化铝烧结体之制程;以及 形成面状电极之制程。 37.一种氧化铝烧结元件,其特征在于:室温之体积 固有电阻値成为11017cm以上,300℃之体积固有 电阻値成为11014cm以上。 38.如申请专利范围第37项之氧化铝烧结元件,其中, 400℃之体积固有电阻値系成为11014cm以上。 39.如申请专利范围第37或38项之氧化铝烧结元件, 其中,纯度成为99.5重量%以上,密度成为3.80~4.00g/cm3 。 40.如申请专利范围第37或38项之氧化铝烧结元件, 其中,在惰性气体气氛或还原气氛下,藉由热冲压 法而进行烧成。 41.如申请专利范围第39项之氧化铝烧结元件,其中, 在惰性气体气氛或还原气氛下,藉由热冲压法而进 行烧成。 42.一种氧化铝烧结元件,其特征在于:室温之体积 固有电阻値成为11017cm以上,200℃之体积固有 电阻値成为11015cm以上。 43.如申请专利范围第42项之氧化铝烧结元件,其中, 纯度成为99.5重量%以上,密度成为3.80~4.00g/cm3。 44.如申请专利范围第42或43项之氧化铝烧结元件, 其中,在惰性气体气氛或还原气氛下,藉由热冲压 法而进行烧成。 45.一种氧化铝烧结元件之制造方法,其特征在于包 括:藉由使用包含氧化铝99.5重量%以上之陶瓷原料 粉末,在惰性气体气氛或还原气氛下,利用热冲压 法而进行烧成,来制作室温之体积固有电阻値成为 11017cm以上、300℃之体积固有电阻値成为11 014cm以上之氧化铝烧结体之制程。 46.一种氧化铝烧结元件之制造方法,其特征在于包 括:藉由使用包含氧化铝99.5重量%以上之陶瓷原料 粉末,在惰性气体气氛或还原气氛下,利用热冲压 法而进行烧成,来制作室温之体积固有电阻値成为 11017cm以上、200℃之体积固有电阻値成为11 015cm以上之氧化铝烧结体之制程。 图式简单说明: 图1(a)~(b)系显示本发明之实施形态之单极型静电 夹头之构造之俯视图及1b-1b剖面图。 图2(a)~(b)系显示本发明之实施形态之双极型静电 夹头之构造之俯视图及2b-2b剖面图。 图3系显示本发明之实施形态之加热器埋设型静电 夹头之构造之剖面图。 图4(a)~(d)系显示本发明之实施形态之静电夹头之 制造方法之制程图。 图5系显示静电夹头之体积固有电阻値之温度依附 性之图形图。 图6系显示静电夹头之吸附力之温度依附性之图形 图。 图7系显示静电夹头之脱合响应性之温度依附性之 图形图。 |
