| 主权项 |
1.一种制造一半导体装置之方法,其包含:使一半导 体晶圆受到一抛光处理且同时供应一含有许多金 属离子之基本CMP研浆至该半导体晶圆上,以至少部 分地移除金属材料层,该半导体晶圆在一半导体基 板上包含一基底层及一金属材料层,该基底层包括 一于其中具有至少一凹部之绝缘膜,且该金属材料 层系形成在该基底层之顶面上且充填该凹部;且然 后添加一螯合该等金属离子之有机酸至该基本CMP 研浆,且利用该添加有机酸之CMP研浆来进行抛光, 直到该绝缘膜之一表面外露出来为止。 2.如请求项1之方法,其中该基本CMP研浆之供应在完 成该抛光之后便停止,且在供应有机酸至该半导体 晶圆之经抛光表面的同时,将半导体晶圆之经抛光 的表面予以清洗。 3.如请求项1之方法,其中该金属材料层包含钨。 4.如请求项1之方法,其中该基底层包括一形成在该 至少一凹部之内部表面上的屏障层,且该屏障层覆 于该绝缘膜之一顶面上。 5.如请求项1之方法,其中该等金属离子包含铁离子 。 6.如请求项5之方法,其中该等铁离子系以铁之一有 机酸盐或一无机酸盐的型式被包含在该CMP研浆中 。 7.如请求项1之方法,其中该有机酸系选自由草酸及 柠檬酸所构成之群。 8.如请求项1之方法,其中该有机酸系以一量値被添 加至该基本CMP研浆中,该量値系使得该金属材料层 之抛光率对该绝缘膜之抛光率之比値为0.5或以上 及3或以下。 9.如请求项4之方法,其中该有机酸系以一量値被添 加至该基本CMP研浆中,该量値系使得该金属材料层 之抛光率对该绝缘膜之抛光率之比値为0.5或以上 及3或以下,且该金属材料层之抛光率对该屏障层 之抛光率之比値为2或以下。 10.如请求项2之方法,其中该抛光及清洗系在一相 同工站中来进行。 11.如请求项2之方法,其中该清洗系在抛光之后来 进行,且在抛光与清洗之间未以水来进行该经抛光 表面之冲洗。 12.一种制造一半导体装置之方法,其包含:在一抛 光工站上使一半导体晶圆受到一抛光处理且同时 供应一添加有机酸之CMP研浆至该半导体晶圆上,直 到该绝缘膜之一表面外露出来为止,该半导体晶圆 在一半导体基板上包含一基底层及一金属材料层, 该基底层包括一于其中具有至少一凹部之绝缘膜, 且该金属材料层系形成在该基底层之顶面上且充 填该凹部,该添加有机酸之CMP研浆包含一含有许多 金属离子并且被添加一有机酸之基本CMP研浆;且然 后停止供应该基本CMP研浆,并且在该抛光工站上清 洗该半导体晶圆之经抛光表面,同时供应该有机酸 至该半导体晶圆之经抛光表面。 13.如请求项12之方法,其中该金属材料层包含钨。 14.如请求项12之方法,其中该基底层包括一形成在 该至少一凹部之内部表面上的屏障层,且该屏障层 覆于该绝缘膜之一顶面上。 15.如请求项12之方法,其中该等金属离子包含铁离 子。 16.如请求项15之方法,其中该等铁离子系以铁之一 有机酸盐或一无机酸盐的型式被包含在该CMP研浆 中。 17.如请求项12之方法,其中该有机酸系选自由草酸 及柠檬酸所构成之群。 18.如请求项12之方法,其中该有机酸系以一量値被 添加至该基本CMP研浆中,该量値系使得该金属材料 层之抛光率对该绝缘膜之抛光率之比値为0.5或以 上及3或以下。 19.如请求项14之方法,其中该有机酸系以一量値被 添加至该基本CMP研浆中,该量値系使得该金属材料 层之抛光率对该绝缘膜之抛光率之比値为0.5或以 上及3或以下,且该金属材料层之抛光率对该屏障 层之抛光率之比値为2或以下。 20.如请求项12之方法,其中该清洗系在抛光之后来 进行,且在抛光与清洗之间未以水来进行该经抛光 表面之冲洗。 图式简单说明: 图1A至1E系概要截面视图,其用以阐释依照本发明 制造一具有埋入之插塞之半导体装置的方法; 图2系一概要视图,其中显示一可使用在本发明实 施例中之CMP设备; 图3A至3C系概要截面视图,其中阐释使用在稍后将 说明之实例1中的半导体晶圆样本; 图4系一图表,其中显示钨、钛及二氧化矽以不同 研浆之相对抛光率; 图5系一图表,其中显示在实例2中被抛光之半导体 晶圆与一对照例之半导体晶圆的腐蚀;及 图6系一图表,其中显示在实例3中之抛光后进行清 洗之后以及以习知技术清洗及不清洗之情况下余 留在一半导体晶圆之表面上的铁离子数量。 |
