| 主权项 |
1.一种多腔体分离磊晶层有机金属化学气相磊晶 方法,适用于一有机发光二极体之磊晶层制程,该 方法系包含: 提供复数个腔体,且每个腔体皆具有个别独立之反 应条件; 形成复数个基板,将该复数个基板分别送入复数个 不同腔体中; 长成一磊晶一层,该磊晶一层系位于该基板上方; 将该基板转送一P型腔体,并将一第二基板移入该 复数个腔体长成该第二基板之磊晶一层;以及 长成一磊晶二层,该磊晶二层系位于该磊晶一层上 方,经过一反应时间将该基板移出该P型腔体,并将 该第二基板移入该P型腔体,长成该第二基板之磊 晶二层; 其中该磊晶一层系经过该复数个腔体间转出送入 后完成,且每个腔体间停留的反应时间为磊晶二层 长成时间。 2.如申请专利范围第1项所述之多腔体分离磊晶层 有机金属化学气相磊晶方法,其中该磊晶一层系经 过该复数个腔体间转出送入的次数为该磊晶一层 所需反应时间除以该磊晶二层所需反应时间,并取 其数値之整数部分。 3.如申请专利范围第1项所述之多腔体分离磊晶层 有机金属化学气相磊晶方法,其中该反应时间可为 1小时。 4.如申请专利范围第1项所述之多腔体分离磊晶层 有机金属化学气相磊晶方法,其中该磊晶一层可为 N型磊晶层。 5.如申请专利范围第1项所述之多腔体分离磊晶层 有机金属化学气相磊晶方法,其中该磊晶二层可为 P型磊晶层。 6.如申请专利范围第1项所述之多腔体分离磊晶层 有机金属化学气相磊晶方法,其中该腔体之反应条 件至少包含一承载气体(carrier gas)、一前驱物及一 可容许温度范围。 7.如申请专利范围第6项所述之多腔体分离磊晶层 有机金属化学气相磊晶方法,其中该承载气体可为 氢气,该前驱物可为氯化硼(BCl3)与氯化磷(PCl3)、氯 化硼(BCl3)与磷化氢(PH3)、甲基联胺系或是氨(NH3)等 其中之一。 8.一种多腔体分离磊晶层有机金属化学气相磊晶 方法,适用于一有机发光二极体之磊晶层制程,该 方法系包含: 提供至少五个腔体,且每个腔体皆具有个别独立之 反应条件; 形成复数个基板,将一第一基板送入一第一腔体中 ; 长成一第一型磊晶一层,该第一型磊晶一层系位于 该基板上方,经过一反应时间将该基板移出该第一 腔体转送一第二腔体,并将一第二基板移入该第一 腔体; 长成一第二型磊晶一层,该第二型磊晶一层系位于 该第一型磊晶一层上方,经过该反应时间将该基板 移出该第二腔体,转送一第三腔体,并将该第二基 板移入该第二腔体; 长成一第三型磊晶一层,该第三型磊晶一层系位于 该第二型磊晶层上方,经过该反应时间将该基板移 出该第三腔体,转送一第四腔体,并将该第二基板 移入该第三腔体; 长成一第四型磊晶一层,该第四型磊晶一层系位于 该第三型磊晶层上方,经过该反应时间将该基板移 出该第四腔体,转送一第五腔体,并将该第二基板 移入该第四腔体;以及 长成一磊晶二层,该磊晶二层系位于该第四型磊晶 层上方,经过该反应时间将该基板移出该第五腔体 ,并将该第二基板移入该第五腔体;其中该反应时 间为磊晶二层长成时间,该基板在该复数个腔体间 送出与转入完成复数个有机发光二极体之复数个 磊晶层。 9.如申请专利范围第8项所述之多腔体分离磊晶层 有机金属化学气相磊晶方法,其中该反应时间可为 1小时。 10.如申请专利范围第8项所述之多腔体分离磊晶层 有机金属化学气相磊晶方法,其中该磊晶一层可为 N型磊晶层。 11.如申请专利范围第8项所述之多腔体分离磊晶层 有机金属化学气相磊晶方法,其中该磊晶二层可为 P型磊晶层。 12.如申请专利范围第8项所述之多腔体分离磊晶层 有机金属化学气相磊晶方法,其中该腔体之反应条 件至少包含一承载气体(carrier gas)、一前驱物及一 可容许温度范围。 13.如申请专利范围第12项所述之多腔体分离磊晶 层有机金属化学气相磊晶方法,其中该承载气体可 为氢气该前驱物可为氯化硼(BCl3)与氯化磷(PCl3)、 氯化硼(BCl3)与磷化氢(PH3)、甲基联胺系或是氨(NH3) 等其中之一。 14.一种多腔体分离磊晶层有机金属化学气相磊晶 装置,其系用于一有机发光二极体之磊晶层,该装 置至少包含: 复数个腔体,该复数个腔体沿着一圆周围排列; 复数个承载座,该承载座上方系用于承载一基板, 且该承载座各别位于该复数个腔体内;以及 一抓取装置,该抓取装置系位于该圆的中心,且具 有至少一机器手臂及一转动底盘,藉由该转动底盘 位移该机器手臂,再以该机器手臂抓取该基板,使 该基板可于该复数个腔体间转换。 15.如申请专利范围第14项所述之多腔体分离磊晶 层有机金属化学气相磊晶装置,其中该腔体数目为 该磊晶一层所需反应时间除以该磊晶二层所需反 应时间,并取其数値之整数部分。 图式简单说明: 第一图:系为本发明技术之多腔体分离磊晶层有机 金属化学气相磊晶装置示意图;以及 第二图:系为本发明技术之多腔体分离磊晶层有机 金属化学气相磊晶流程图。 |
