| 主权项 |
1.一种形成一非结晶蚀刻停止层之方法,其包含: 在一基板中蚀刻一凹槽,该凹槽具有一底部; 在该凹槽的底部植入选自由惰性元素、元素周期 表I行之咸金属以及元素周期表II行之咸金属所组 成之群中至少一离子化物质以形成一非结晶蚀刻 停止区域,该离子化物质在该基板中为电中性;及 以一各异向性湿式蚀刻来蚀刻该基板。 2.如申请专利范围第1项之形成一非结晶蚀刻停止 层之方法,其中该离子化物质在该基板中具有一低 溶解度。 3.如申请专利范围第2项之形成一非结晶蚀刻停止 层之方法,其中该离子化物质具有大于130 pm或小于 80 pm的离子半径。 4.如申请专利范围第1项之形成一非结晶蚀刻停止 层之方法,其中该基板系一具有一垂直[100]晶面、 一水平[110]晶面及一对角[111]晶面的单晶,且其中 以硷性各异向性湿式蚀刻来蚀刻该单晶导致相对 于该[100]晶面沿该[111]晶面产生刻面。 5.如申请专利范围第4项之形成一非结晶蚀刻停止 层之方法,其中该硷性各异向性湿式蚀刻溶液之pH 値接近10或更高。 6.如申请专利范围第4项之形成一非结晶蚀刻停止 层之方法,其中该硷性各异向性湿式蚀刻不含一氧 化剂。 7.如申请专利范围第1项之形成一非结晶蚀刻停止 层之方法,其中在一基板中植入一元素以形成一非 结晶蚀刻停止区域的步骤包含在近似5e14原子/平 方公分至1e15原子/平方公分范围内的该元素的剂 量。 8.如申请专利范围第1项之形成一非结晶蚀刻停止 层之方法,其中向一基板植入一离子化物质以形成 一非结晶蚀刻停止区域的步骤包含在近似1 KeV至20 KeV范围内的植入能量。 9.如申请专利范围第1项之形成一非结晶蚀刻停止 层之方法,其中在该基板中蚀刻该凹槽的步骤包含 一各异向性乾式电浆蚀刻。 10.一种形成一非结晶蚀刻停止层之方法,其包含: 在一基板中植入选自由惰性元素、元素周期表I行 之咸金属以及元素周期表II行之咸金属所组成之 群中至少一离子化物质以形成一非结晶蚀刻停止 区域,该离子化物质在该基板中为电中性; 于植入至少一离子化物质入基板后在基板中蚀刻 一凹槽;及 以一各异向性湿式蚀刻来蚀刻该基板。 11.如申请专利范围第10项之形成一非结晶蚀刻停 止层之方法,其中将该离子化物质植入该凹槽的步 骤包含在近似1e15原子/平方公分至1e16原子/平方 公分范围内的该离子化物质之剂量。 12.如申请专利范围第10项之形成一非结晶蚀刻停 止层之方法,其中将该离子物质植入该凹槽的步骤 包含在近似10 KeV至40 KeV范围内的植入能量。 13.一种形成一非结晶蚀刻停止层之方法,其包含: 在具有一垂直[100]晶面、一水平[110]晶面及一对角 [111]晶面的一单晶矽基板上方形成一闸极及位于 该闸极两侧上的一对侧壁间隔物; 沿该垂直[100]晶面以一各异向性乾式电浆蚀刻在 该单晶矽基板中蚀刻一凹槽; 在该凹槽的底部植入矽以形成一非结晶蚀刻停止; 沿该对角[111]晶面以一pH値至少近似于10且无氧化 剂的各异向性湿式蚀刻来蚀刻该凹槽;及 以一电掺杂的矽锗材料来填充该凹槽以形成一源 极/汲极区域。 14.如申请专利范围第13项之形成一非结晶蚀刻停 止层之方法,其进一步包含在该等侧壁间隔物下方 的一源极/汲极顶部植入区域。 15.如申请专利范围第13项之形成一非结晶蚀刻停 止层之方法,其进一步包含一含有氧化物的浅沟槽 隔离区域,且其中该各异向性湿式蚀刻并不蚀刻该 浅沟槽隔离区域或一保护该闸极的硬式遮罩。 16.如申请专利范围第13项之形成一非结晶蚀刻停 止层之方法,其中以一电掺杂矽锗材料填充该凹槽 的步骤会在该闸极的下方形成一磊晶源极/汲极顶 部延伸区域。 17.一种形成一非结晶蚀刻停止层之方法,其包含: 提供一具有一晶格的基板;及 利用该基板中的电中性选自由惰性元素、元素周 期表I行之咸金属以及元素周期表II行之咸金属所 组成之群中至少离子化物质来破坏该基板的晶格 以形成一蚀刻停止区域。 18.如申请专利范围第17项之形成一非结晶蚀刻停 止层之方法,其中破坏该基板的晶格的步骤包含破 坏该晶格之一晶面内的化学键。 19.如申请专利范围第17项之形成一非结晶蚀刻停 止层之方法,其中破坏该晶格的步骤包含加速度能 量、离子半径及足以破坏该晶格化学键的元素的 质量之组合。 20.一种非结晶蚀刻停止层之结构,其包含: 一基板,该基板具有复数个垂直[100]晶面、复数个 水[110]晶面及复数个对角[111]晶面,该基板的形状 如一倒置的截棱锥的凹槽,该凹槽沿四个对角[110] 晶面具有四个壁且沿一水平[110]晶面具有一平坦 的底部;及 一非结晶蚀刻停止区域,其在该凹槽的平坦底部中 含有基板内之选自由惰性元素、元素周期表I行之 咸金属以及元素周期表II行之咸金属所组成之群 中至少一电中性元素,其中该非结晶蚀刻停止区域 充当一用以保护该基板表面的遮罩。 21.如申请专利范围第20项之形成一非结晶蚀刻停 止层之结构,其中该基板系单晶矽。 22.如申请专利范围第20项之形成一非结晶蚀刻停 止层之结构,其中该凹槽之纵横比在近似1:1至1:5范 围内。 23.如申请专利范围第20项之形成一非结晶蚀刻停 止层之结构,其进一步包含一在该凹槽上方向外伸 出的悬臂支架。 24.一种电晶体,其包含: 一结晶半导体基板,其具有复数个垂直[100]晶面、 复数个水平[110]晶面及复数个对角[111]晶面; 一闸电极,其形成在该结晶半导体基板上方; 一对侧壁间隔物,在该闸电极的每一侧上各有一个 ;及 一对源极/汲极区域,在每一个侧壁间隔物的下方 各有一个源极/汲极区域,其中由该等间隔物的底 部及该等对角[111]晶面来界定该等源极/汲极区域 。 25.如申请专利范围第24项之电晶体,其中,该对源极 /汲极区域在该对侧壁间隔物的下方延伸一高达该 对侧壁间隔物中之一个之宽度的距离。 26.如申请专利范围第24项之电晶体,其中该对源极/ 汲极区域在该闸电极下方延伸一近似该闸电极宽 度的10%至20%范围内的距离。 图式简单说明: 图1说明一表明先前技术蚀刻后之微负载的基板。 图2a-2j说明一具有源极/汲极植入区域的电晶体之 形成及将一非结晶植入区域用作一蚀刻停止。 图3a-3g说明一无源极/汲极植入区域的电晶体之形 成及将一非结晶植入区域用作蚀刻停止的替代实 施例。 图4a-4d说明一种形成悬臂支架的方法。 |
