| 主权项 |
1.一种间隙壁的移除方法,适于一金氧半导体(MOS) 电晶体形成之后,该金氧半导体电晶体包括位于一 基底上之一闸极结构、位于该闸极结构侧壁上之 一间隙壁以及位于该间隙壁侧边之该基底中的一 源极区与一汲极区;该间隙壁的移除方法系于无光 的环境下进行一湿式蚀刻制程。 2.如申请专利范围第1项所述之间隙壁的移除方法, 其中该间隙壁的材质包括氮化矽。 3.如申请专利范围第2项所述之间隙壁的移除方法, 其中该湿式蚀刻制程所使用之蚀刻剂包括磷酸。 4.一种金氧半导体电晶体的制造方法,包括: 于一基底上形成一闸极结构,该闸极结构由该基底 依序为一间介电层与一闸极层; 于该闸极结构的侧壁形成一间隙壁; 于该间隙壁侧边之该基底中形成一源极区与一汲 极区; 于无光的环境下进行一湿式蚀刻制程,以移除位于 该闸极结构侧壁上之该间隙壁;以及 于该基底上形成一应变层(strained layer),覆盖该闸 极结构与该基底,其中在形成该应变层时,该应变 层系用以调整该基底之晶格排列。 5.如申请专利范围第4项所述之金氧半导体电晶体 的制造方法,其中该间隙壁的材质包括氮化矽。 6.如申请专利范围第5项所述之金氧半导体电晶体 的制造方法,其中该湿式蚀刻制程所使用之蚀刻剂 包括磷酸。 7.如申请专利范围第4项所述之金氧半导体电晶体 的制造方法,其中该应变层的材质包括氧化矽或氮 化矽。 8.如申请专利范围第4项所述之金氧半导体电晶体 的制造方法,其中在形成该闸极结构之后以及在形 成该间隙壁之前,更包括于该闸极结构侧边之该基 底中形成淡掺杂汲极区(LDD)。 图式简单说明: 图1A为习知一种金氧半导体电晶体之剖面示意图 。 图1B为其上覆盖有应变层之金氧半导体电晶体之 剖面示意图。 图2为NMOS电晶体在光存在的环境下,使用磷酸移除 间隙壁时,源极区与汲极区遭到损伤之扫瞄式电子 显微镜(SEM)的照片图。 图3A到图3F为本发明之实施例中一种金氧半导体电 晶体的制造流程剖面示意图。 图4为NMOS电晶体在无光的环境下,使用磷酸移除间 隙壁,所得之金属氧化半导体电晶体之扫瞄式电子 显微镜照片图。 |
