| 主权项 |
1.一种蓝宝石晶圆研磨方法,包括下列步骤: 提供至少一蓝宝石晶圆,其系包含一基板及一导电 层;将该蓝宝石晶圆固定在一固定座上; 将该固定座固定于一研削机台上; 研削该蓝宝石晶圆之该基板; 减薄该基板厚度;以及 利用蚀刻法将该基板完全去除,以使该导电层露出 。 2.如申请专利范围第1项所述之蓝宝石晶圆研磨方 法,其中,该固定座系由陶瓷材质所构成者。 3.如申请专利范围第1项所述之蓝宝石晶圆研麽方 法,将该蓝宝石晶圆固定在该固定座上之步骤前, 更包括在该蓝宝石晶圆之导电层下接合至少一金 属。 4.如申请专利范围第1项所述之蓝宝石晶圆研磨方 法,将该蓝宝石晶圆固定在该固定座上之步骤前, 更包括在该蓝宝石晶圆之导电层下接合至少一晶 圆。 5.如申请专利范围第1项所述之蓝宝石晶圆研磨方 法,其中,该蓝宝石晶圆系利用蜡贴附在该固定座 上,并利用一压力将该蓝宝石晶圆固定在该固定座 上。 6.如申请专利范围第5项所述之蓝宝石晶圆研磨方 法,其中,该压力系为1-10kg/cm2。 7.如申请专利范围第1项所述之蓝宝石晶圆研磨方 法,更包括一第一传动装置,其系设置于该研削机 台上,并利用吸真空方式将该固定座固定于该第一 传动装置上,且该第一传动装置系带动该固定座前 后移动。 8.如申请专利范围第7项所述之蓝宝石晶圆研磨方 法,其中,该第一传动装置系为一马达。 9.如申请专利范围第1项所述之蓝宝石晶圆研磨方 法,更包括一第二传动装置,其系设置于该研削机 台上,该第二传动装置上设置一砂轮,该砂轮与该 固定座上之该蓝宝石晶圆相对设置,且该第二传动 装置系带动该砂轮旋转并左右移动。 10.如申请专利范围第9项所述之蓝宝石晶圆研磨方 法,其中,该第二传动装置系为一马达。 11.如申请专利范围第9项所述之蓝宝石晶圆研磨方 法,其中,该研削机台系设置至少一冷却液喷出口, 其系喷洒冷却液以进行冲洗冷却该蓝宝石晶圆及 该砂轮。 12.如申请专利范围第9项所述之蓝宝石晶圆研磨方 法,其中,该砂轮系由钻石材质所构成者。 13.如申请专利范围第7项所述之蓝宝石晶圆研磨方 法,更包括一控制装置及一第二传动装置,该控制 装置设置于该研削机台上,而该第二传动装置设置 于该研削机台上并与该第一传动装置相对设置,该 控制装置用以控制该第一传动装置及该第二传动 装置。 14.如申请专利范围第9项所述之蓝宝石晶圆研磨方 法,更包括一控制装置及一第一传动装置,该控制 装置设置于该研削机台上,而该第一传动装置设置 于该研削机台上并与该第二传动装置相对设置,该 控制装置用以控制该第一传动装置及该第二传动 装置。 15.如申请专利范围第1项所述之蓝宝石晶圆研磨方 法,其中,该基板经研削至50-200m。 16.如申请专利范围第1项所述之蓝宝石晶圆研磨方 法,其中,减薄该基板厚度之方式系将该固定座放 置至一抛光盘上,并利用抛光溶液以减薄该蓝宝石 晶圆之该基板之厚度。 17.如申请专利范围第1项所述之蓝宝石晶圆研磨方 法,其中,该基板之厚度系减薄至10m以下。 18.如申请专利范围第1项所述之蓝宝石晶圆研磨方 法,其中,该蚀刻法系为乾式蚀刻法及湿式蚀刻法 其中之一者。 图式简单说明: 第1(a)图至第1(d)图分别为本发明之蓝宝石晶圆研 磨方法之各步骤示意图。 第2图为本发明之蓝宝石晶圆之导电层下接合一金 属之剖视图。 第3图所示为本发明制造发光二极体之剖视图。 |
