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1.一种用于研磨半导体晶圆表面之化学机械研磨 方法,其步骤特征为分别配制化学药剂及研磨剂, 于研磨前或机台端始混合成研磨浆液;及以该研磨 浆液将半导体晶圆表面之金属层磨光,其中该化学 药剂包含水性介质、腐蚀抑制剂及离子型界面活 性剂;及该研磨剂包含研磨颗粒和去离子水。 2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该化学药剂 及研磨剂系分别以不同管路通到机台端之研磨垫 上,于机台端进行混合,以形成研磨浆液。 3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该化学药剂 包含70-99.5重量%之水性介质、0.01-1重量%之腐蚀抑 制剂及0.01-5重量%之离子型界面活性剂。 4.根据申请专利范围第3项之方法,其中该水性介质 为去离子水。 5.根据申请专利范围第1项之方法,其中该腐蚀抑制 剂为苯并三唑。 6.根据申请专利范围第1项之方法,其中该离子型界 面活性剂为阴离子型界面活性剂。 7.根据申请专利范围第1项之方法,其中该研磨剂包 含0.1-20重量%之氧化铝和去离子水。 8.根据申请专利范围第1项之方法,其中该金属层为 铜。 9.一种用于研磨半导体晶圆表面之化学机械研磨 浆液,其特征为此浆液系经由先分别配制化学药剂 及研磨剂,再于研磨前或机台端始混合而形成,其 中该化学药剂包含70-99.5重量%之水性介质、0.01-1 重量%之腐蚀抑制剂及0.01-5重量%之离子型界面活 性剂;研磨剂包含0.1-20重量%之研磨颗粒和去离子 水。 10.根据申请专利范围第9项之研磨浆液,其中该水 性介质为去离子水。 11.根据申请专利范围第9项之研磨浆液,其中该腐 蚀抑制剂为苯并三唑。 12.根据申请专利范围第9项之研磨浆液,其中该离 子型界面活性剂为阴离子型界面活性剂。 13.根据申请专利范围第9项之研磨浆液,其中该研 磨颗粒为氧化铝。 14.根据申请专利范围第9项之研磨浆液,其进一步 包含0.1-5重量%之氧化剂。 15.根据申请专利范围第14项之研磨浆液,其中该氧 化剂系选自由H2O2、Fe(NO3)3、KIO3、CH3COOOH及KMnO4所 构成群组。 16.根据申请专利范围第15项之研磨浆液,其中该氧 化剂为H2O2。 17.根据申请专利范围第9项之研磨浆液,其进一步 包含有机酸。 18.根据申请专利范围第17项之研磨浆液,其中该有 机酸系选自由甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、 己酸、丙二酸、戊二酸、己二酸、草酸、柠檬酸 、苹果酸及酒石酸所构成群组。 |
