| 主权项 |
1.一种光电装置,系于保持光电物质之基板上以矩 阵状构成之多数个画素中之各个画素具有:复数个 凹凸以分散状形成之凹凸形成层;及于该凹凸形成 层之上层侧被形成的光反射膜;于该光反射膜表面 藉由上述凹凸形成层形成光散射用凹凸图型而成 之光电装置;其特征为: 将上述多数个画素依群组分割为各具有复数个画 素之复数个单元时,上述凹凸图型至少于单元内系 依上述每一画素形成为具有不同形态之同时,位于 该单元内同一位置之画素之上述凹凸图型于上述 单元间成为不同,而且 构成上述凹凸之凸部或凹部,其平面形状、平面尺 寸、或平面位置分布之于各画素间之误差被控制, 构成上述凹凸之凸部或凹部,系于1画素内被形成 不同平面尺寸之凸部或凹部。 2.一种光电装置,系于保持光电物质之基板上以矩 阵状构成之多数个画素中之各个画素具有:复数个 凹凸以分散状形成之凹凸形成层;及于该凹凸形成 层之上层侧被形成的光反射膜;于该光反射膜表面 藉由上述凹凸形成层形成光散射用凹凸图型而成 之光电装置;其特征为: 上述凹凸图型系依上述每一画素形成具有不同形 态,而且 构成上述凹凸之凸部或凹部,其平面形状、平面尺 寸、或平面位置分布之于各画素间之误差被控制, 构成上述凹凸之凸部或凹部,系于1画素内被形成 不同平面尺寸之凸部或凹部。 3.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中 构成上述凹凸之凸部或凹部,其平面形状为圆形或 多角形。 4.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中 相对于上述基板之法线方向由倾斜10度至30度之倾 斜方向看时,反射亮度于各画素间之标准偏差/平 均値为10%以内。 5.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中 构成上述凹凸之凸部或凹部,其于1画素内之平面 尺寸为相同之凸部或凹部之数目,系于上述画素间 成为相等。 6.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中 上述凹凸图型之形成区域区隔为微小平面时,各微 小面与上述基板平面间之构成角度在1画素内之存 在比率以直方图表示时,该角度为3~10之微小面之 存在比率合计于各画素间之标准偏差/平均値为10% 以内。 7.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中 构成上述凹凸之凸部或凹部之总面积于各画素间 之标准偏差/平均値为5%以内。 8.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中 构成上述凹凸之凸部或凹部之中,位于黑矩阵之形 成区域以外之区域内的该凸部或凹部之总面积于 各画素间之标准偏差/平均値为5%以内。 9.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中 依构成上述凹凸之凸部或凹部之中心位置座标描 绘德洛涅(Delaunay)图型时,各德洛涅线长度之标准 偏差/平均値为35%以下。 10.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中 构成上述凹凸之凸部或凹部之中,于上述画素端部 被中断之该凸部或凹部之面积合计为该凸部或凹 部之面积之整数倍。 11.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中 构成上述凹凸之凸部或凹部之于上述画素间之重 复比率为50%以上。 12.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中 以较1个画素为大之凹凸形成用图型作为基准图型 ,藉由该基准图型以特定位置为中心旋转移动所得 凹凸图型,针对各画素来决定构成上述凹凸之凸部 或凹部之位置。 13.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中 以较m个n个画素之合计面积为大之凹凸形成用图 型作为基准图型,藉由该基准图型以特定位置为中 心旋转移动所得m个n个画素之凹凸图型,针对各画 素来决定构成上述凹凸之凸部或凹部之位置。 14.如申请专利范围第12项之光电装置,其中 于上述旋转移动时藉由移动上述旋转中心而于各 画素形成不同之凹凸图型。 15.如申请专利范围第12项之光电装置,其中 将上述旋转中心设于偏移构成上述凹凸之凸部或 凹部之位置。 16.如申请专利范围第12项之光电装置,其中 光反射膜,系介由接触孔电连接于下层侧或上层侧 之导电层之同时,上述光反射膜系避开上述接触孔 而形成, 将上述旋转中心设于与上述接触孔重叠之位置。 17.如申请专利范围第12项之光电装置,其中 于上述光反射膜形成光透过窗用于进行透过模态 显示,将上述旋转中心设于该光透过窗内。 18.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中 以具备凹凸图型之矩形区域作为基本图型,该凹凸 图型为左端和右端之图型以及上端和下端之图型 分别具连续性者,藉由从该基本图型切割之区域保 有端部之图型连续性而于上下左右平行移动所得 之多数凹凸图型,针对各画素来决定构成上述凹凸 之凸部或凹部之位置。 19.如申请专利范围第18项之光电装置,其中 上述切割区域为复数个画素分。 20.如申请专利范围第18项之光电装置,其中 上述切割区域为1画素分,该切割区域之尺寸,系和 画素中除去遮光膜之形成区域以外之开口区域相 当之尺寸。 21.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中 以上述基板作为第1基板,使第2基板与该第1基板呈 对向配置而于该基板间保持作为上述光电物质之 液晶而构成者。 22.一种电子机器,其特征为具备申请专利范围第1 至18项中任一项之光电装置作为显示部者。 图式简单说明: 图1:光电装置由对向基板侧看时之平面图。 图2:图1之H-H'线断面图。 图3:光电装置中以矩阵状配置之复数个画素上形 成之各种元件、配线等之等效电路图。 图4:本发明适用之光电装置中形成于TFT阵列基板 之各画素构成之平面图。 图5:于相当于图4之A-A'线位置切断时之画素断面图 。 图6(A)~(D):本发明适用之光电装置之TFT阵列基板制 造方法之制程断面图。 图7(A)~(D):本发明适用之光电装置之TFT阵列基板制 造方法中接续图6制程进行之各制程之断面图。 图8:本发明适用之光电装置中,针对画素各单元配 置不同凹凸图型之模式说明图。 图9:本发明适用之光电装置中,形成于画素上之凹 凸图型之差异点说明图。 图10:本发明适用之光电装置中,形成于画素上之凹 凸图型之差异点说明图。 图11:本发明适用之光电装置中,形成于画素上之凹 凸图型之差异点说明图。 图12:本发明适用之光电装置中,形成于画素上之凹 凸图型之差异点说明图。 图13(A)~(D):分别为本发明适用之光电装置中,将凹 凸图型形成区域分割为微小平面状态之说明图各 微小平面与基板平面(水平面)间之构成角度之 说明图,该角度于画素内之存在比例之直方图, 以及另一画素中角度之存在比率之直方图。 图14:评价凹凸之相对距离关系用之德洛涅三角形 说明图。 图15:凹凸被于画素端部切断之模式说明图。 图16:于半透过反射型光电装置之画素附加不同凹 凸图型时对旋转中心之限制说明图。 图17:本发明适用之光电装置中,藉由平行移动形成 各种之凹凸图型之说明图。 图18:以本发明之光电装置中作为显示装置使用之 电子机器电路构成方块图。 图19(A)~(B):分别为使用本发明之光电装置的电子机 器之一实施形态,(A)为携带型个人电脑,(B)为行动 电话之说明图。 图20:习知光电装置使用之TFT阵列基板之画素平面 图。 图21:习知光电装置之画素之一部分之断面图。 |
