| 主权项 |
1.一种薄膜电路装置,其特征包含: 底层; 薄膜电路层,其系成膜于上述底层上,具有作为电 路的机能;及 连接电极,其系贯通上述底层的一部份,而以能够 与上述薄膜电路层呈相反侧的面大概一致之方式 来露出于上述底层,进行外部电路与上述薄膜电路 层的连接。 2.如申请专利范围第1项之薄膜电路装置,其中更具 有: 保护层,其系覆盖上述薄膜电路层的至少一部份, 而来保护上述薄膜电路层;及 连接电极,其系贯通上述保护层的一部份,而以能 够与上述薄膜电路层呈相反侧的面大概一致之方 式来露出于上述保护层,进行外部电路与上述薄膜 电路层的连接。 3.一种薄膜电路装置,其特征包含: 第1基板,其系具有耐热性; 剥离层,其系形成于上述第1基板上,藉由能量赋予 来产生剥离; 绝缘性的底层,其系形成于上述剥离层上; 薄膜电路层,其系形成于上述底层上; 保护层,其系形成于上述薄膜电路层上;及 连接电极,其系贯通上述底层的一部份,而连接至 上述剥离层,藉由该剥离层的剥离来露出,而进行 外部电路与上述薄膜电路层的连接。 4.如申请专利范围第3项之薄膜电路装置,其中在上 述剥离层与上述底层之间更具有保护层。 5.一种薄膜电路装置,其特征系积层有: 第1薄膜电路层,其系包含:形成于底层与保护层之 间的第1薄膜电路,和连接至上述第1薄膜电路而从 上述底层下面的一部份露出之下部连接电极层;及 第2薄膜电路层,其系包含:形成于底层与保护层之 间的第2薄膜电路,和连接至上述第2薄膜电路,而露 出于上述保护层的上面的一部份之上部连接电极, 和连接至上述第2薄膜电路,而从上述底层下面的 一部份露出之下部连接电极; 上述第1薄膜电路层的下部连接电极与上述第2薄 膜电路层的上部电极会被连接。 6.如申请专利范围第5项之薄膜电路装置,其中上述 下部连接电极及上述上部连接电极相互间的连接 系经由向异性导电材料或导电性接着剂来进行。 7一种光电装置,其特征系具备申请专利范围第1~6 项的其中任一项所记载之薄膜电路装置。 8.一种薄膜电路装置的制造方法,其特征包含: 在形成有剥离层的第1基板上,形成一在至少一面 形成连接电极的第1薄膜电路层之过程; 在形成有剥离层的第2基板上,形成一在一面及另 一面分别形成连接电极的第2薄膜电路层之过程; 由上述第1基板来剥离上述第1薄膜电路层,而复制 于复制端基板侧之过程;及 使形成于上述第2基板的第2薄膜电路层的连接电 极与复制于上述复制端基板侧的第1薄膜电路层的 连接电极重叠,而来接合上述第1及第2薄膜电路层, 由上述第2基板来剥离上述第2薄膜电路层,而予以 复制于上述第1薄膜电路层后积层之过程。 9.如申请专利范围第8项之薄膜电路装置的制造方 法,其中上述薄膜电路层系由以下过程所制作: 在上述电路形成基板上的剥离层上形成底层之过 程; 在上述底层上形成薄膜电路之过程; 贯通上述底层的一部份,而形成露出上述剥离层的 接触孔之过程; 在上述接触孔与上述薄膜电路之间形成电极配线 之过程;及 在上述薄膜电路及上述电极配线上形成保护层之 过程。 10.如申请专利范围第8项之薄膜电路装置的制造方 法,其中更包含: 在上述剥离层与上述薄膜电路层之间形成保护层 之过程;及 在剥离上述薄膜电路层而复制之过程后去除上述 保护层之过程。 图式简单说明: 图1是用以说明积层本发明的薄膜电路层而构成的 薄膜电路装置。 图2(a)~(d)是用以说明薄膜电路层的制造过程之过 程图。 图3(a)~(h)是用以说明薄膜电路层的制造过程之过 程图。 图4(a)~(e)是用以说明具有薄膜电路层间的连接电 极之薄膜电路层的形成过程例的过程图。 图5(a)~(f)是用以说明具有薄膜电路层间的连接电 极之薄膜电路层的形成过程例的其他例的过程图 。 图6(a)~(f)是用以说明具有薄膜电路层间的连接电 极之薄膜电路层的形成过程例的另外其他例的过 程图。 图7是用以说明薄膜电路装置的具体例(有机EL显示 装置)的说明图。 图8(a)~(f)是表示使用积层本发明的薄膜电路层而 成的薄膜电路装置之电子机器例的说明图。 |
