以埋入式区域内连线形成静态随机存取记忆体的方法

摘要

一个静态随机存取记忆体(SRAM)单元包含有六个电晶体。此些储存节点系使用区域内连线(Local Interconnects)来实作。第一层金属系置放在区域内连线的上方，但电性隔离于区域内连线。接触窗插塞(Contact Plug)系形成来使此单元(cell)耦合至此第一层金属。此接触窗插塞较佳是以与区域内连线不同的制程步骤来形成。