发明名称 用于半导体装置之中点电位产生电路
摘要 本发明之目的系改良在启动一种用于一半导体装置之中点电位产生电路之时所导致之缺陷。一偏压产生电路供应一接地电未作为一偏压电压Vbias、并当一供硬电压VDD系低于一第一参考电压时,将电容器C1与C2的一中点电位设定到一接地电位。当该供应电压VDD等于或高于该第一参考电压时,该偏压产生电路供应该供应电压VDD做为该偏压电压Vbias。当该偏压电压Vbias等于或高于一第二参考电压时,该偏压产生电路将一藉由划分该升压电源供应电路之供应电压VPP所得到之电压做为该偏压电压Vbias供应到该等电容器C1与C2的一节点。
申请公布号 TW200608682 申请公布日期 2006.03.01
申请号 TW093139185 申请日期 2004.12.16
申请人 富士通股份有限公司 发明人 山崎雅文;竹内淳
分类号 H02M3/156;G11C11/34 主分类号 H02M3/156
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本