非挥发性记忆体及其制造方法与操作方法

摘要

一种非挥发性记忆体，含有分别由第一记忆胞与第二记忆胞所构成之多数个记忆单元。第一记忆胞设置于基底上。第二记忆胞设置于第一记忆胞一侧之侧壁与基底上。第一记忆胞由设置于基底上的第一闸极、设置于第一闸极与基底之间的第一复合介电层所构成。第二记忆胞由设置于基底上的第二闸极、设置于第二闸极与基底之间及第二闸极与第一记忆胞之间的第二复合介电层所构成。第二记忆胞系透过第一绝缘间隙壁与第一记忆胞相间隔。其中第一复合介电层与第二复合介电层分别是由底介电层、电荷陷入层与顶介电层所构成。