发明名称 局部金属矽化之取代闸极
摘要 一种完全金属矽化之取代闸极的形成制程,用以制造出含有均匀厚度的金属矽化之闸极。首先,形成一闸极介电质于一基材之上。之后,形成一含矽层于闸极介电质之上。接着,形成一介电层于含矽层之上。然后,形成一顶层于介电层之上。将闸极介电质、含矽层、介电层与顶层图案化为一闸极堆,再沿着此闸极堆之一边形成一间隙壁。最后去除顶层与介电层,之后再沉积一金属层在含矽层之上并且矽化此金属层。
申请公布号 TW200608494 申请公布日期 2006.03.01
申请号 TW094117585 申请日期 2005.05.27
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 王志豪;王焱平;胡正明
分类号 H01L21/336;H01L27/12;H01L21/28;H01L29/76 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号