发明名称 边射型发光二极体之透镜结构
摘要 本创作系有关一种边射型发光二极体之透镜结构,其包含:一封装基座,其表面设有一颗以上之发光晶粒;以及一透镜,其底面系设在该封装基座及发光晶粒上,而其顶面系由一内凹圆形平面及一外环形斜面所构成之皿状结构。藉此,用以解决先前技术不具混光效果之问题,而具有混光作用及控制出光角度之功效。
申请公布号 TWM288433 申请公布日期 2006.03.01
申请号 TW094217368 申请日期 2005.10.07
申请人 华上光电股份有限公司 发明人 孙庆成;钟世勋;孙瑞宏;简玮廷;汪培値
分类号 H01L33/00;F21V5/04 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种边射型发光二极体之透镜结构,包含有: 一封装基座,其表面设有一颗以上之发光晶粒;以 及 一透镜,其底面系设在该封装基座及发光晶粒上, 而其顶面系由一内凹圆形平面及一外环形斜面所 构成之皿状结构。 2.如申请专利范围第1项所述之边射型发光二极体 之透镜结构,其中,该透镜之半径为(r),其内凹圆形 平面的直径为(d)高度为(h),而外环形斜面之斜度( ),藉由控制该透镜半径(r)、内凹圆形平面直径(d )、高度(h)及外环形斜面之斜度(),可得预定之出 光角度及混光需求。 3.如申请专利范围第1项所述之边射型发光二极体 之透镜结构,其中,该透镜之材质系选自包括:PC、 COC、PMMA、PC/PMMA及PEI其中任一所构成。 4.如申请专利范围第1项所述之边射型发光二极体 之透镜结构,其中,该透镜系包括以注入模造、黏 接、热化叠置及超音波焊接任一方式固定在该封 装基座上。 5.如申请专利范围第1项所述之边射型发光二极体 之透镜结构,其中,该透镜之顶面进一步可设有一 反射层者。 图式简单说明: 第一图系习用一种发光二极体封装之示意图。 第二图系习用另一种发光二极体封装之示意图。 第三图系本创作较佳实施例之俯视图。 第四图系第三图中4-4断面剖示图。 第五图系本创作之混光状态参考图。
地址 桃园县大溪镇仁和路2段349号7楼