| 主权项 |
1.一种镜像异构的纯晶状R-硫辛酸,其2绕射图谱 从15至30范围中,最强的反射线在2=23。 2.一种制备晶状R-硫辛酸之方法,其中包括在0℃至- 20℃下,由溶剂或溶剂混合物中将硫辛酸结晶,其具 有介电常数为1.95至2.4,其中该溶剂或溶剂混合 物包含C5至C8之直链或具支链之脂族烃类、环脂族 烃类、具1至4个碳原子之卤化烃类、芳香烃类,如 甲苯、邻-、间-、对-二甲苯、乙基苯、丙基苯、 异丙基苯及1,3,5-三甲基苯。 3.根据申请专利范围第2项之方法,其中溶剂混合物 使用甲苯和己烷之混合物,或甲苯和庚烷之混合物 。 4.根据申请专利范围第1项之硫辛酸,其系根据申请 专利范围第2或3项之方法制得。 5.一种根据申请专利范围第1或4项之硫辛酸之用途 ,其用于制备医药调配物。 6.一种根据申请专利范围第1或4项之硫辛酸之用途 ,其作为食品添加剂或作为饮食补充之成份。 图式简单说明: 图1显示先前技艺由环己烷得到之(R)-硫辛酸之粉 末绕射图。 图2显示先前技艺由环己烷/醋酸乙酯得到之(R)-硫 辛酸之粉未绕射图。 图3显示本发明(R)-硫辛酸之粉末绕射图。 |
