| 主权项 |
1.一种金属电阻体材料,系含有Al:1.0至15.0重量%,稀 土类元素:0.01至0.5重量%,其余者在实质上系由Cr及 Ni所组成,且Cr/Ni之重量比为0.15至1.1者。 2.一种溅射用标靶,系含有Al:1.0至15.0重量%,稀土类 元素:0.01至0.5重量%,其余者在实质上系由Cr及Ni所 组成,且Cr/Ni之重量比为0.15至1.1者。 3.一种电阻薄膜,其特征系:含有Al:1.0至15.0重量%,稀 土类元素:0.01至0.5重量%,其余者在实质上系由Cr及 Ni所组成,而Cr/Ni之重量比为0.15至1.1,且电阻温度系 数在25ppm/℃以内之范围,保持175℃2000小时时之电 阻变化率为0.10%以下。 4.一种电阻薄膜之制造方法,其特征系:使用含有Al: 1.0至15.0重量%,稀土类元素:0.01至0.5重量%,其余者在 实质上系由Cr及Ni所组成,且Cr/Ni之重量比为0.15至1. 1之溅射用标靶,依溅射法于绝缘材料基板上生成 由Ni-Cr-Al-稀土类元素合金所成之电阻薄膜,然后, 将该电阻薄膜在大气中,于温度200℃至500℃下实施 1至10小时之热处理。 5.一种金属电阻体材料,系含有Al:5.0至14.5重量%,Si:0 .2至5.0重量%,稀土类元素:0.01至0.5重量%,其余者在 实质上系由Cr及Ni所组成,且Cr/Ni之重量比为0.75至1. 1者。 6.一种溅射用标靶,系含有Al:5.0至14.5重量%,Si:0.2至5 .0重量%,稀土类元素:0.01至0.5重量%,其余者在实质 上系由Cr及Ni所组成,且Cr/Ni之重量比为0.75至1.1者 。 7.一种电阻薄膜,其特征系:含有Al:5.0至14.5重量%,Si: 0.2至5.0 重量%,稀土类元素:0.01至0.5重量%,其余者在 实质上系由Cr及Ni所组成,Cr/Ni之重量比为0.75至1.1, 且电阻温度系数在15ppm/℃以内之范围,保持175℃2 000小时时之电阻变化率为0.10%以下。 8.一种电阻薄膜之制造方法,其特征系:使用含有Al: 5.0至14.5重量%,Si:0.2至5.0重量%,稀土类元素:0.01至0.5 重量%,其余者在实质上系由Cr及Ni所组成,且Cr/Ni之 重量比为0.75至1.1的溅射用标靶,依溅射法于绝缘 材料基板上生成由Ni-Cr-Al-Si-稀土类元素合金所成 之电阻薄膜,然后,将该电阻薄膜在大气中,依温度 200℃至500℃下实施1至10小时之热处理。 9.一种金属电阻体材料,系含有Si:0.2至5.0重量%,稀 土类元素:0.01至0.5重量%,其余者系由Cr及Ni所组成, 实质上Cr/Ni之重量比为0.15至1.1者。 10.一种溅射用标靶,系含有Si:0.2至5.0重量%,稀土类 元素:0.01至0.5重量%,其余者系由Cr及Ni所组成,实质 上Cr/Ni之重量比为0.15至1.1者。 11.一种电阻薄膜,其特征系:含有Si:0.2至5.0重量%,稀 土类元素:0.01至0.5重量%,其余者系由Cr及Ni所组成, 实质上Cr/Ni之重量比为0.15至1.1,且电阻温度系数在 25ppm/℃以内之范围,保持175℃2000小时时之电阻变 化率为0.25%以下。 12.一种电阻薄膜之制造方法,其特征系:使用含有Si :0.2至5.0重量%,稀土类元素:0.01至0.5重量%,其余者系 由Cr及Ni所组成,实质上Cr/Ni之重量比为0.15至1.1的 溅射用标靶,依溅射法于绝缘材料基板上生成由Ni- Cr-Si-稀土类元素合金所成之电阻薄膜,然后,将该 电阻薄膜在大气中,依温度200℃至500℃下实施1至10 小时之热处理。 图式简单说明: 第1图,系表示将从实施例5及比较例3、5、13之电阻 薄膜所制造的薄膜电阻器保持于175℃之高温槽内 时之电阻变化率之经时性变化的曲线图。 第2图,系表示将从实施例17及比较例13之电阻薄膜 所制造的薄膜电阻器保持于175℃之高温槽内时之 电阻变化率之经时性变化的曲线图。 第3图,系表示将从实施例31及比较例14之电阻薄膜 所制造的薄膜电阻器保持于175℃之高温槽内时之 电阻变化率之经时性变化的曲线图。 |
