| 主权项 |
1.一种有机电致发光装置,包括: 彼此相面对且间隔之第一与第二基板;此第一与第 二基板包括像素区; 在第一基板内表面上之闸极线; 与闸极线相交之资料线; 与闸极线以及资料线相连接之切换薄膜电晶体; 与此切换薄膜电晶体相连接之驱动薄膜电晶体; 与此驱动薄膜电晶体相连接之电源线; 在第二基板内表面上之第一电极; 在像素区边界第一电极上之第一侧壁与第二侧壁, 此第一侧壁与第二侧壁彼此间隔,其中,此第一侧 壁与第二侧壁之相面对之内侧对应于负斜面; 在像素区中第一电极上之电致发光层; 在像素区中之电致发光层上之第二电极;以及 电性连接至第一与第二基板之连接电极。 2.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置,其中 此第一侧壁与第二侧壁之外侧对应于正斜面,且其 中,此负斜面与正斜面实质上平行。 3.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置,其中 电致发光层包括聚合物材料。 4.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置,其中 此等靠近像素区之第一侧壁与第二侧壁之外侧对 第二基板各呈大于大约90之角度。 5.如申请专利范围第4项之有机电致发光装置,其中 此等彼此面对之第一侧壁与第二侧壁之外侧对第 二基板各呈小于大约90之角度。 6.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置,其中 此第一侧壁包括第一负侧壁与第一正侧壁,且此第 二侧壁包括第二负侧壁与第二正侧壁。 7.如申请专利范围第6项之有机电致发光装置,其中 此第一与第二负侧壁彼此间隔,且各此第一与第二 负侧壁具有倒梯形形状,以致于侧壁之宽度沿着对 第二基板垂直线垂直测量的话,离第二基板逐渐增 加,且在靠近第二基板之处为最薄。 8.如申请专利范围第7项之有机电致发光装置,其中 此等第一与第二负侧壁之外侧对第二基板各呈小 于大约90之角度。 9.如申请专利范围第6项之有机电致发光装置,其中 此第一与第二正侧壁接触第一与第二负侧壁,且各 此第一与第二正侧壁具有倒圆锥形状,以致于此正 侧壁之宽度沿着对第二基板垂直线垂直测具有倒 圆锥形状,以致于此正侧壁之宽度沿着对第二基板 垂直线垂直测量的话,离第二基板逐渐减少,且此 正侧壁在靠近第二基板之处为最宽。 10.如申请专利范围第9项之有机电致发光装置,其 中 此等第一与第二正侧壁之外侧对第二基板各呈大 于大约90之角度。 11.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置,其 中 此第一电极作用为阳极。 12.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置,其 中 此第二电极作用为阴极。 13.如申请专利范围第11项之有机电致发光装置,其 中 此第一电极包括:铟锡氧化物(ITO)与铟锌氧化物(IZO )之一。 14.如申请专利范围第12项之有机电致发光装置,其 中 此第二电极包括:钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)之一。 15.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置,其 中 此切换薄膜电晶体包括:连接至闸极线之切换闸极 电极,连接资料线之切换源极电极、以及与切换源 极电极分开之切换汲极电极;以及 此驱动薄膜电晶体包括:连接至切换汲极电极之驱 动闸极电极,连接电源线之驱动源极电极、以及连 接至连接电极之驱动汲极电极。 16.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置,其 中 17.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置,其 中 此连接电极连接至驱动薄膜电晶体与第二电极。 18.如申请专利范围第17项之有机电致发光装置,其 中 此连接电极包括与第二电极相同之材料。 19.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置,其 中 此电致发光层包括:电洞传输层、发光层、以及电 子传输层,此电洞传输层将来自阳极之电洞供应给 发光层, 此电子传输层将来自阴极之电子供应给发光层。 20.如申请专利范围第1项之有机电致发光装置,更 包括 第一电极与第二电极间像素区域边界之栏截图案 。 21.一种制造有机电致发光装置之方法,其包括以下 步骤: 在包括像素区之第一基板内上形成闸极线; 形成与闸极线相交之资料线; 与闸极线以及资料线相交部份中形成连接至闸极 线与资料线之切换薄膜电晶体; 形成连接至切换薄膜电晶体之驱动薄膜电晶体; 形成连接至驱动薄膜电晶体之电源线; 在第二基板上像素区上形成第一电极; 在像素区之边界形成彼此间隔之第一与第二侧壁, 其中,此第一侧壁与第二侧壁之相面对之内侧对应 于负斜面; 在像素区中第一电极上形成电致发光层; 在电致发光层上形成第二电极; 形成电性连接至第一与第二基板之连接电极;以及 将第一与第二基板装附。 22.如申请专利范围第21项之方法,其中 此第一侧壁与第二侧壁之外侧对应于正斜面,且其 中,此负斜面与正斜面实质上平行。 23.如申请专利范围第21项之方法,其中 此电致发光层藉由覆盖聚合物材料而形成。 24.如申请专利范围第21项之方法,其中 此等靠近像素区之第一侧壁与第二侧壁之外侧对 第二基板各呈大于大约90之角度。 25.如申请专利范围第24项之方法,其中 此等彼此面对之第一侧壁与第二侧壁之外侧对第 二基板各呈小于大约90之角度。 26.如申请专利范围第21项之方法,其中 形成第一与第二侧壁包括形成彼此间隔之第一与 第二负侧壁,且第一与第二负侧壁各具有倒梯形形 状,以致于侧壁之宽度沿着对第二基板垂直线垂直 测量的话,离第二基板逐渐增加,且在靠近第二基 板之处为最薄;以及 形成第一与第二正侧壁其接触靠近第一与第二负 侧壁之外侧,此第一与第二正侧壁具有倒圆锥形状 ,以致于此正侧壁之宽度沿着对第二基板垂直线垂 直测量的话,离第二基板逐渐减少,且在靠近第二 基板之处为最宽。 27.如申请专利范围第26项之方法,其中 此等第一与第二负侧壁之外侧对第二基板各呈小 于大约90之角度。 28.如申请专利范围第26项之方法,其中 此等第一与第二正侧壁之外侧对第二基板各呈小 于大约90之角度。 29.如申请专利范围第21项之方法,其中 此第一电极作用为阳极。 30.如申请专利范围第21项之方法,其中 此第二电极作用为阴极。 31.如申请专利范围第29项之方法,其中 此第一电极包括;铟锡氧化物(ITO)与铟锌氧化物(IZO )之一。 32.如申请专利范围第30项之方法,其中 此第二电极包括:钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)之一。 33.如申请专利范围第21项之方法,其中 此切换薄膜电晶体包括:连接至闸极线之切换闸极 电极,连接资料线之切换源极电极、以及与切换源 极电极分开之切换汲极电极;以及 此驱动薄膜电晶体包括:连接至切换汲极电极之驱 动闸极电极,连接电源线之驱动源极电极、以及连 接至连接电极之驱动汲极电极。 34.如申请专利范围第21项之方法,其中 电源线与闸极线相交,且与资料线间隔。 35.如申请专利范围第21项之方法,其中 此连接电极连接至驱动薄膜电晶体与第二电极。 36.如申请专利范围第35项之方法,其中 此连接电极包括与第二电极相同之材料。 37.如申请专利范围第21项之方法,其中 此电致发光层包括:电洞传输层、发光层、以及电 子传输层,此电洞传输层将来自阳极之电洞供应给 发光层, 此电子传输层将来自阴极之电子供应给发光层。 38.如申请专利范围第21项之方法,更包括 在第一电极、第一侧壁第二侧壁间像素区边界形 成栏截图案。 39.一种用于有机电致发光装置之基板,包括: 基板,其包括像素区; 在基板整个内表面上之第一电极; 在像素区边界第一电极上之第一与第二侧壁,此第 一与第二侧壁彼此间隔,其中,此第一侧壁与第二 侧壁之相面对之内侧对应于负斜面; 在像素区中第一电极上电致发光层;以及 在像素区中电致发光层上第二电极。 40.如申请专利范围第39项之基板,其中 此第一侧壁与第二侧壁之外侧对应于正斜面,且其 中,此负斜面与正斜面实质上平行。 41.一种制造用于有机电致发光装置之基板之方法, 其包括以下步骤: 在具有像素区之基板上形成第一电极; 在像素区边界之第一电极上形成彼此间隔之第一 与第二侧壁,其中,此第一侧壁与第二侧壁之相面 对之内侧对应于负斜面; 在像素区中第一电极上形成电致发光层;以及 在像素区中电致发光层上形成第二电极。 42.如申请专利范围第41项之方法,其中 此第一侧壁与第二侧壁之外侧对应于正斜面,且其 中,此负斜面与正斜面实质上平行。 图式简单说明: 第1图为概要横截面图,其显示根据习知技术之主 动矩阵式有机电致发光显示装置; 第2图为概要平面图,其显示根据习知技术之有机 电致发光装置之阵列层; 第3图为沿着第2图III-III线之概要横截面图; 第4图为概要横截面图,其显示根据习知技术之侧 壁结构; 第5图为概要平面图,其显示根据习知技术之侧壁 结构; 第6图为沿着第5图IV-IV线之概要横截面图; 第7图为概要横截面图,其显示藉由阴影遮罩法之 蒸镀过程; 第8图为概要横截面图,其显示根据习知技术应用 至PLED之使用负侧壁之有机电致发光装置; 第9图为概要横截面图,其显示根据本发明实施例 之双板式有机电致发光装置; 第10图为概要平面图,其显示根据本发明实施例之 双侧壁以界定点阵轮廓; 第11A至11C图为概要横截面图,其显示根据本发明实 施例之双板式有机电致发光装置之TFT阵列基板之 制造过程; 第12A至12D图为概要横截面图,其显示根据本发明实 施例之双板式有机电致发光装置之TFT阵列基板之 制造过程; 第13图为概要横截面图,其显示根据本发明实施例 具有双侧壁之有机电致发光装置之蒸镀过程; 第14图为概要横截面图,其显示根据本发明实施例 之双板式PLED; 第15图为概要横截面图,其显示根据本发明实施例 之双板式有机电致发光装置之正与负侧壁之角色; 第16A至16D图为概要横截面图,其显示根据本发明实 施例之具有双板式PLED之发光部份之有机电致发光 基板之制造过程;以及 第17A至17B图为概要横截面图,其显示根据本发明实 施例之双板式PLED之TFT阵列基板之制造过程。 |
