| 主权项 |
1.一种表面电浆波微小角度之测量方法,其包括: 建立相位差或反射率之比对参数値资料库; 采用一可产生表面电浆共振效果之棱镜,该棱镜反 射边设有至少一层金属膜,并将待测物置可与该棱 镜同步转动的位置上; 以外差光源或线性偏极雷射光源经分光镜而分为 反射光与透射光,以该反射光为参考光,而该透射 光为测试光,其中,测试光导向该棱镜,并使入射至 该棱镜斜边的入射角在表面电浆共振角的。 附近; 利用光侦测器测得该参考光之第一参考相置信号 或第一参考光强度信号; 并利用光侦测器测得该测试光之第一测试相位信 号或第一测试光强度信号; 当待测物连同棱镜做小角度旋转时,会产生第二参 考相位信号或第二参考光强度信号,及第二测试相 位信号或第二测试光强度信号;及 利用第一、第二参考相置信号及第一第二测试相 位信号或第一、第二参考光强度信号及第一第二 测试光强度信号,透过电脑的计算及与所建立的该 相位差或反射率比对参数値资料库做比对,进而换 算出该棱镜与该持测物旋转方向与旋转的角度者 。 2.如申请专利范围第1项所述之表面电浆波微小角 度之测量方法,其中,若所建立的是相位差之比对 参数値资料库,则采用的光源为外差光源,而在光 侦测器之前先使参考光及测试光经检偏板,而在光 侦测器之后则以相位比较器取得其相位信号,再输 入电脑计算。 3.如申请专利范围第1项所述之表面电浆波微小角 度之测量方法,其中,若所建立的是反射率之比对 参数値资料库,则采用的光源为线性偏极雷射光, 直接以光侦测器测得参考光及测试光之信号,再输 入电脑计算。 4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中,利用所 测得之棱镜旋转角度,再将光源经物镜入射平面反 射镜而反射回原路径,利用该平面镜未能在该物镜 之焦平面时造成反射光有收敛或发散的现象,再利 用此发散或收敛光入射该棱镜置于表面电浆共振 角附近时引起不同之相位差値,再由该相位差値比 对原先测得之旋转角度而求得该待测物平面的微 小位移量。 5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中,利用所 测得之棱镜旋转角度,再将光源经物镜入射平面反 射镜而反射回原路径,利用该平面镜未能在该物镜 之焦平面时造成反射光有收敛或发散的现象,再利 用此发散或收敛光入射棱镜,再由光侦测器测得光 束两边缘之光强度,一而得到反射率差,再由该反 射率差値比对原先测得之旋转角度而求得该待测 物平面的微小位移量。 6.一种用以执行表面电浆波微小角度之测量方法 的系统,包括有: 一可产生电浆共振效果之棱镜,该棱镜反射边设有 至少一层金属膜; 一光源装置; 一可使光源反射与透射之分光镜; 至少一个用以侦测光射之光侦测器;及 一可将来自光侦测器之讯号予以处理及运算而求 得相关数値的电脑。 7.如申请专利范围第6项所述之系统,其中,该棱镜 反射边设有二层异质之金属膜。 8.如申请专利范围第6项所述之系统,其中,该棱镜 反射边设有三层异质之金属膜。 9.如申请专利范围第6、7或8项所述之系统,其中,一 层该金属膜的材质为金。 10.如申请专利范围第6项所述之系统,其中,该棱镜 设于一旋转台上。 11.如申请专利范围第6项所述之系统,其中,该光源 装置为外差光源,并在光侦测器前设有检偏板。 12.如申请专利范围第6项所述之系统,其中,该光源 装置为线性偏极光源,并在该光源射出光线之路径 上设一偏极板。 13.如申请专利范围第6项所述之系统,进一步包括 有物镜与平面反射镜,使光源经物镜入射该平面反 射镜而反射回原路径。 图式简单说明: 第一图系本发明表面电浆共振原理示意图; 第二图系本发明在共振角附近时之反射率对入射 角的反应曲线示意图; 第三图系本发明在共振角附近时相位差对入射角 之反应曲线示意图; 第四图系本发明之共光程外差干涉仪之示意图; 第五图系本发明以相置法量测微小角度架构示意 图; 第六图系本发明以强度法量测微小角度架构示意 图; 第七图系本发明之微小位移测量示意图。 第八图系本发明以相位法量测微小位移架构示意 图。 第九图系本发明以强度法量测微小位移架构示意 图。 |
