| 发明名称 | 结可变电容 | ||
| 摘要 | 一种结可变电容，包括一栅极，设于一半导体基底的离子井上；一栅极介电层，设于该栅极与该离子井之间；一第一掺杂区，其具有第一电性，设于该栅极一侧的该离子井内，作为该结可变电容的阳极(anode)；以及一第二掺杂区，其具有与该第一电性相反的第二电性，设于该栅极与该第一掺杂区相反的一侧的该离子井内，作为该PN结可变电容的阴极(cathode)。其中在操作该结可变电容时，该栅极接一栅极电压V<SUB>G</SUB>，例如V<SUB>CC</SUB>或者V<SUB>SS</SUB>电压。 | ||
| 申请公布号 | CN1741285A | 申请公布日期 | 2006.03.01 |
| 申请号 | CN200510070206.2 | 申请日期 | 2005.05.10 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 高境鸿 |
| 分类号 | H01L29/92(2006.01);H01L29/94(2006.01) | 主分类号 | H01L29/92(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种结可变电容，包括：一栅极，设于一半导体基底的离子井上；一栅极介电层，设于该栅极与该离子井之间；一第一掺杂区，其具有第一电性，设于该栅极一侧的该离子井内，作为该结可变电容的阳极；以及一第二掺杂区，其具有与该第一电性相反的第二电性，设于该栅极与该第一掺杂区相反的一侧的该离子井内，作为该结可变电容的阴极。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||