| 发明名称 | 半导体受光器与UV传感器设备 | ||
| 摘要 | 提供一种甚至对短波长辐射也有高的光电转换效率的半导体受光器和UV传感器设备。半导体受光器包括阴极层(1)和形成在阴极层(1)表面的阳极层(2)，阴极层(1)的一部分是受光区域(3)，它位于阴极层(1)与一个阳极层(2)之间的pn结与阴极层(1)与另一阳极层(2)之间的pn结之间。 | ||
| 申请公布号 | CN1741287A | 申请公布日期 | 2006.03.01 |
| 申请号 | CN200510095945.7 | 申请日期 | 2005.08.23 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 小山顺一郎 |
| 分类号 | H01L31/101(2006.01) | 主分类号 | H01L31/101(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 钱慰民 |
| 主权项 | 1.一种半导体受光器，其特征在于包括；第一电导型半导体层；和形成在所述第一电导型半导体层表面的一对第二电导型半导体层，其中所述第一电导型半导体层的一部分是受光区域，位于所述第一电导型半导体层与一个所述第二电导型半导体层之间的pn结与所述第一电导型半导体层与另一个所述第二电导型半导体层之间的pn结之间。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||