| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是减少微细晶体管与高耐压晶体管的线宽离散性。在以P型的半导体衬底(1)上的台阶差部为边界形成了P型阱(2)和N型阱(3)的结构中，其特征在于：在台阶差的低的部分处形成的上述P型阱(2)上形成了具有第1线宽的第1晶体管(微细晶体管)，在台阶差的高的部分处形成的上述N型阱(3)上形成了具有比第1晶体管的线宽粗的第2线宽的第2晶体管(高耐压晶体管)。 | ||
| 申请公布号 | CN1244153C | 申请公布日期 | 2006.03.01 |
| 申请号 | CN02103206.8 | 申请日期 | 2002.01.30 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 谷口敏光;森真也;石部真三;铃木彰 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，具备：以一种导电类型的半导体衬底上的台阶差部为边界形成的一种导电类型的半导体层和相反的导电类型的半导体层；在台阶差的低的部分上形成的上述一种导电类型的半导体层或上述相反的导电类型的半导体层的任一方的半导体层上经第1栅氧化膜形成的第1栅电极；由在上述第1栅电极的附近形成的、与上述半导体层导电类型相反的第1源、漏层构成的第1晶体管；在台阶差的高的部分上形成的上述一种导电类型的半导体层或上述相反的导电类型的半导体层的任一方的半导体层上经第2栅氧化膜形成的其线宽比上述第1栅电极的线宽粗的第2栅电极；以及由在上述第2栅电极的附近形成的、与上述半导体层导电类型相反的第2源、漏层构成的第2晶体管。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||