| 发明名称 | 移除金属氧化物的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种移除金属氧化物的方法，包括于一基底上形成一介电层，于此介电层中形成一金属接触，而此金属接触是具有一金属氧化物位于其上方，以及借使用温度高于约10℃的水或温度高于约15℃的化学品以增进金属氧化物的溶解度。 | ||
| 申请公布号 | CN1741255A | 申请公布日期 | 2006.03.01 |
| 申请号 | CN200510088730.2 | 申请日期 | 2005.07.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 彭双能;陈俊宏;黄循康;方文良 |
| 分类号 | H01L21/3213(2006.01);H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1、一种移除金属氧化物的方法，上述金属氧化物是来自一基底上的金属层，包括使用一温度高于10℃的水或一温度高于15℃的化学品的液体或蒸气以增加上述金属氧化物的溶解度。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||