| 发明名称 | 使用自组装纳米线从集成电路除去热量的方法及设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及集成电路结构内的热传导。本发明公开了热传导装置及其制造方法，该方法使用热传导通路从衬底的局部发热区取出热量到集成电路管芯的顶面或底面。传导通路包含用于促进从集成电路进行热传导的自组装碳纳米管。 | ||
| 申请公布号 | CN1742364A | 申请公布日期 | 2006.03.01 |
| 申请号 | CN200480002721.0 | 申请日期 | 2004.01.23 |
| 申请人 | 纳米传导公司 | 发明人 | C·丹格洛 |
| 分类号 | H01L21/4763(2006.01);H01L21/44(2006.01);H01L21/48(2006.01);H01L23/48(2006.01) | 主分类号 | H01L21/4763(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京 |
| 主权项 | 1.一种用于制造集成电路内的热传导装置的方法，包括以下步骤：(1)在硅衬底中制造至少一个晶体管；(2)在所述至少一个晶体管的顶面上沉积第一介电层；(3)在所述第一介电层的顶面上沉积金属催化剂层；(4)在所述金属催化剂层的顶面上沉积第二介电层；(5)穿过所述第二介电层到所述金属催化剂层的顶面蚀刻至少一个空腔，所述至少一个空腔位于所述至少一个晶体管上方；(6)在所述至少一个空腔内生成至少一个碳纳米管，所述至少一个碳纳米管从所述金属催化剂层的顶面延伸到所述第二介电层的至少顶面；以及(7)在所述第二介电层的顶面上沉积金属热传导层，使得所述晶体管产生的热从所述晶体管顶面通过所述至少一个碳纳米管传导到所述金属热传导层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||