| 主权项 |
1.一种衰减相位移光罩之制造方法,系包含下列步骤:提供一透明的基板;利用磁控溅镀沈积法(magnetronsputtering deposition),以(LaNiO3)x(TiO2)1-x为靶材,溅镀沈积LaNiTiO(LNTiO)材料之衰减相位移膜于所述基板上,制作出衰减相位移光罩,其中:溅镀靶材LaNiO3与靶材TiO2之莫耳数比为x:1-x,而0.05<x<0.95;沈积所得LaNiTiO(LNTiO)材料具有下列光学特性:LNTiO之折射率在1.9-2.3之间;LNTiO之衰减系数在0.35-0.55之间;LNTiO曝光在波长为300nm至632nm的光线下,其透光率为3%至12%之间;LNTiO曝光在波长为300nm至632nm的光线下,其反射率小于20%;蚀刻所述衰减相位移膜以定义出所需光罩图案。2.如申请专利范围第1项所述之衰减相位移光罩之制造方法,其中,利用磁控溅镀沈积LNTiO膜时,其反应气体为氧气及氩气。3.如申请专利范围第1项所述之衰减相位移光罩之制造方法,其中,利用磁控溅镀沈积LNTiO膜时,其系统反应压力约为10mtorr。4.如申请专利范围第1项所述之衰减相位移光罩之制造方法,其中,利用磁控溅镀沈积LNTiO膜时,系统中,对于TiO2的溅射功率约为30watt。5.如申请专利范围第1项所述之衰减相位移光罩之制造方法,其中,利用磁控溅镀沈积LNTiO膜时,系统中,对于LaNiO3的溅射功率为60watt。6.如申请专利范围第2项所述之衰减相位移光罩之制造方法,其中,氧气/氩气流量约为5sccm/95sccm。7.一种衰减相位移光罩之材料,系:LaNiTiO(LNTiO)材料具有光学特性:LNTiO之折射率在1.9-2.3之间;LNTiO之衰减系数在0.35-0.55之间;LNTiO曝光在波长为300nm至632nm的光线下,其透光率为3%至12%之间;LNTiO曝光在波长为300nm至632nm的光线下,其反射率小于20%。8.如申请专利范围第7项所述之衰减相位移光罩之材料,其中LNTiO系利用磁控镀沈积法(magnetron sputteringdeposition),以(LaNiO3)x(TiO2)1-x为靶材,其中:溅镀靶材LaNiO3与靶材TiO2之莫耳数比为x:1-x,而0.05<x<0.95。9.如申请专利范围第8项所述之衰减相位移光罩之材料,其中,利用磁控溅镀沈积LNTiO膜时,其反应气体为氧气及氩气。10.如申请专利范围第8项所述之衰减相位移光罩之材料,其中,利用磁控溅镀沈积LNTiO膜时,其系统反应压力约为10mtorr。11.如申请专利范围第8项所述之衰减相位移光罩之材料,其中,利用磁控溅镀沈积LNTiO膜时,系统中,对于TiO2的溅射功率约为30watt。12.如申请专利范围第8项所述之衰减相位移光罩之材料,其中,利用磁控溅镀沈积LNTiO膜时,系统中,对于LaNiO3的溅射功率为60watt。13.如申请专利范围第8项所述之衰减相位移光罩之制造方法,其中,氧气/氩气流量约为5sccm/95sccm。图式简单说明:第一图系比较利用传统光罩及具有衰减相位移光罩,在制作晶片元件图案时,曝露在晶片上的电场及电场强度分布示意图。第二图系为利用溅镀沈积法,沈积以CrON和MoSiON为材料制作衰减相位移光罩,其CrON和MoSiON材料之折射率n和衰减系数k与制程时氧气流量的关系座标图。第三图系为传统以CrON和MoSiON为材料制作衰减相位移光罩,其透光率百分比与曝光波长范围之座标图。第四图(a)系为本发明以LaNiO3和TiO2为靶材,沈积制作衰减相位移光罩之简单示意图。第四图(b)系为本发明之LNTiO衰减相位移光罩示意图。第五图系为本发明之LNTiO膜之折射率n2及衰减系数k为曝光波长之函数示意图。第六图系为本发明之LNTiO膜之反射率(R)与曝光波长(3000A-8000A)之函数示意图。第七图系为本发明之LNTiO膜之透光率(T)与曝光波长(3000A-8000A)之函数示意图。第八图系为本发明在制作LNTiO膜时,其系统反应气体之氧含量(5%-25%)不影响LNTiO之折射率n和衰减系数k。 |
