| 发明名称 |
Memory cell structure having nitride layer with reduced charge loss and method for fabricating same |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB0601284(D0) |
申请公布日期 |
2006.03.01 |
| 申请号 |
GB20060001284 |
申请日期 |
2004.08.31 |
| 申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES, INC |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/51;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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