发明名称 利用MOSFET的导通电阻的过热保护感应的系统和方法
摘要 本发明公开了一种为过热保护使用功率MOSFET导通电阻Rds_on的电源控制器。该脉宽调制控制器的MOSFET导通电阻Rds_on感应温度,该温度与预定温度阈值相比较,其中当感应温度超过了预定温度阈值时该脉宽调制控制器检测到过热条件。脉宽调制控制器包括具有第一端和第二端的Rp电阻;电压比较器电路,该电压比较器电路具有第一输入端、第二输入端、和输出端,该电压比较器电路的第一输入端连接到Rp电阻的第二端;和MOSFET,该MOSFET在其处于ON状态时具有导通电阻Rds_on,该Rds_on具有第一端和第二端,该Rds_on的第二端连接到该电压比较器电路的第二输入端,该Rds_on感应温度值,并且该Rds_on的值根据温度值的变化波动。
申请公布号 CN1741341A 申请公布日期 2006.03.01
申请号 CN200510089057.4 申请日期 2005.08.03
申请人 雅达电子国际有限公司 发明人 H·黄;C·M·杨
分类号 H02H7/10(2006.01);H02H5/04(2006.01) 主分类号 H02H7/10(2006.01)
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 沙捷
主权项 1.一种用于过热保护的脉宽调制控制器,包括:第一MOSFET,其在所述第一MOSFET处于ON状态时具有导通电阻Rds_on,该Rds_on具有第一端和第二端,该Rds_on的电阻值根据温度值的改变波动;具有第一端和第二端的Rp电阻,其中以所述MOSFET的最大允许温度的函数计算所述Rp电阻的值;以及电压比较器电路,该电压比较器电路具有第一输入端、第二输入端、和输出端,所述电压比较器电路的所述第一输入端被连接到所述Rp电阻,所述电压比较器电路将跨接所述Rds_on的第一压降与跨接所述Rp电阻的第二压降相比较,当所述第二压降大于所述第一压降时所述电压比较器电路生成一个过热输出信号。
地址 中国香港