发明名称 | 一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法 | ||
摘要 | 一种磷化铟基量子级联半导体激光器,包括:一N型磷化铟衬底;一N型铟镓砷下波导层,该下波导层制作在N型磷化铟衬底上;一35个周期铟镓砷/铟铝砷交替的有源区,该有源区制作在下波导层上;一N型铟镓砷上波导层,该上波导层制作在有源区上;一N型磷化铟上包层,该上包层制作在上波导层上;一N型磷化铟接触层,该接触层制作在上包层上;一N型铟镓砷欧姆接触层,该欧姆接触层制作在N型磷化铟接触层上;经刻蚀在表面形成双沟脊形台面,在该双沟脊形台面制作有绝缘层,该绝缘层之间断开形成电流注入窗口;一正面N型电极,该正面N型电极制作在绝缘层上;一背面N型电极,该背面N型电极制作在N型磷化铟衬底上。 | ||
申请公布号 | CN1741329A | 申请公布日期 | 2006.03.01 |
申请号 | CN200410056982.2 | 申请日期 | 2004.08.25 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 郭瑜;王春华;刘俊岐;刘峰奇;王占国 |
分类号 | H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01S5/00(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 1、一种磷化铟基量子级联半导体激光器,其特征在于,其中包括:一N型磷化铟衬底,作为下包层;一N型铟镓砷下波导层,该下波导层制作在N型磷化铟衬底上,用来提高波导芯层的折射率,增强光限制;一35个周期铟镓砷/铟铝砷交替的有源区,该有源区制作在下波导层上,作为发光区;一N型铟镓砷上波导层,该上波导层制作在有源区上,用来提高波导芯层的折射率,增强光限制;一N型磷化铟上包层,该上包层制作在上波导层上;一N型磷化铟接触层,该接触层制作在上包层上;一N型铟镓砷欧姆接触层,该欧姆接触层制作在N型磷化铟接触层上;经刻蚀在表面形成双沟脊形台面,在该双沟脊形台面制作有绝缘层,该绝缘层之间断开形成电流注入窗口;一正面N型电极,该正面N型电极制作在绝缘层上;一背面N型电极,该背面N型电极制作在N型磷化铟衬底上。 | ||
地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 |